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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-28 11:50 内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 ～ シリコン基板への応用 ～ ○青田奈津子・会田英雄・武田秀俊（並木精密宝石）  ED2013-67 CPM2013-126 LQE2013-102 |
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| 抄録 | （和） | シリコン基板上への窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長においては、成膜中および成膜後に基板のそりが生じるため、基板のそり制御技術が必要とされている。我々は、内部集光レーザで形成した改質層によって基板内部に応力が発生することを利用して、シリコン基板およびGaN on Silicon基板のそりを制御する技術の検討を行った。まず、シリコン基板に対して様々な条件で内部改質層を形成し、そり制御技術を検証した。その結果、基板厚みに対する改質層の形成位置および改質層の形成パターンのピッチにより、基板のそり量を制御できることが分かった。また、改質層形成によりそりを与えたシリコン基板上にGaN膜を成膜することにより、成膜中のそりを制御できる可能性が示唆された。さらに、GaN on Silicon基板において、GaN膜の応力を相殺するように内部改質層の形成条件を最適化した。その結果、改質層の形成パターンのピッチにより、GaN on Silicon基板のそりを制御できることを確認した。 |
| （英） | Bow management for heteroepitaxy of III-Nitride films on silicon substrate has been required, as substrate bow is introduced during and after heteroepitaxial growth. We investigated bow management technique for silicon substrate before and after GaN film growth by using internally focused laser. The substrate inside is modified by the laser and then stress is introduced inside the substrate, resulting in substrate bow. Modified layers were introduced into silicon substrate inside under various conditions to study bow control system of silicon substrate. As a result, it was found that the substrate bow can be controlled by depth of modified layers in substrate thickness and pattern pitch of modified layers. It was also suggested that the substrate bow during GaN film growth on silicon substrate can be controlled by applying initial bow. We applied the laser process to bow control of GaN on Silicon substrate to compensate stress induced by GaN films. We revealed that the substrate bow of GaN on Silicon substrate can be controlled by pattern pitch of modified layers. | |
| キーワード | （和） | ヘテロエピタキシャル成長 / 内部集光レーザ / GaN on Silicon / / / / / |
| （英） | Heteroepitaxial growth / Internally focused laser / GaN on Silicon / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 329, ED2013-67, pp. 17-20, 2013年11月. | |
| 資料番号 | ED2013-67 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-67 CPM2013-126 LQE2013-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 |
| サブタイトル（和） | シリコン基板への応用 |
| タイトル（英） | Bow management of substrate for nitride semiconductor devices by internally focused laser processing |
| サブタイトル（英） | application to silicon substrate |
| キーワード(1)（和/英） | ヘテロエピタキシャル成長 / Heteroepitaxial growth |
| キーワード(2)（和/英） | 内部集光レーザ / Internally focused laser |
| キーワード(3)（和/英） | GaN on Silicon / GaN on Silicon |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青田 奈津子 / Natsuko Aota / アオタ ナツコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 並木精密宝石株式会社 (略称： 並木精密宝石) Namiki Precision Jewel Co.LTD (略称： Namiki Precision Jewel) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 会田 英雄 / Hideo Aida / アイダ ヒデオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 並木精密宝石株 (略称： 並木精密宝石) Namiki Precision Jewel Co.LTD (略称： Namiki Precision Jewel) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 秀俊 / Hidetoshi Takeda / タケダ ヒデトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 並木精密宝石株 (略称： 並木精密宝石) Namiki Precision Jewel Co.LTD (略称： Namiki Precision Jewel) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-28 11:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-67, CPM2013-126, LQE2013-102 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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