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| 講演名 | 2013-11-29 11:25 サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 ○西尾 剛・鈴木周平・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大）  ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 |
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| 抄録 | （和） | AlNはワイドギャップ半導体であり，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．本研究では，MOVPE法によってサファイア上に成長させたAlN緩衝層をアニールすることによる核形成層の制御に着目した．N2-CO雰囲気でのアニールによって，AlN緩衝層の表面モフォロジーは著しく変化し，RMS値が改善していた．これは，アニールによって原子のマイグレーションが促進されたことによると考えられる．また，アニール前後でAlN緩衝層のXRC半値幅が大幅に減少しており，アニール温度1700 ℃で転位密度は1.3×10^9 cm^-2であった．これらの結果から，AlN緩衝層のN2-CO雰囲気での高温アニールは，サファイア上のAlN成長における貫通転位の低減に有効であることが示された． |
| （英） | AlN has attracted attention for applications in the deep ultraviolet region, because of its wide direct band-gap and excellent thermal and chemical stabilities. High-quality AlN layers were grown on thermally-annealed AlN buffer layer on sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE). By annealing in a carbon-saturated N2-CO gas mixture, the surface morphologies of AlN buffer layers were dramatically changed and the RMS values were improved. Additionally, the FWHM values of XRCs of the AlN buffer layers significantly decreased by annealing and the threading dislocation density of AlN grown on thermally-annealed AlN buffer layer at 1700 ℃ was less than 1.3×10^9 cm^-2. These results indicate that the high- temperature annealing of AlN buffer layer is useful technique for reduction of dislocations in AlN grown on sapphire. | |
| キーワード | （和） | アニール / N2-CO / AlN / MOVPE / sapphire / 緩衝層 / / |
| （英） | annealing / N2-CO / AlN / MOVPE / sapphire / buffer layer / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 330, CPM2013-139, pp. 75-78, 2013年11月. | |
| 資料番号 | CPM2013-139 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Annealing in N2-CO of AlN buffer layers on sapphire and high temperature growth of AlN layers by MOVPE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | アニール / annealing |
| キーワード(2)（和/英） | N2-CO / N2-CO |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | sapphire / sapphire |
| キーワード(6)（和/英） | 緩衝層 / buffer layer |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西尾 剛 / Gou Nishio / ニシオ ゴウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 周平 / Shuhei Suzuki / |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福山 博之 / Hiroyuki Fukuyama / フクヤマ ヒロユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-29 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2013-80, CPM2013-139, LQE2013-115 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.75-78 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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