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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-29 11:50 減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御 ○北川 慎・三宅秀人・平松和政（三重大）  ED2013-81 CPM2013-140 LQE2013-116 |
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| 抄録 | （和） | 窒化アルミニウムは禁制帯幅が約6.2eVのため深紫外域の光デバイス用の基板として期待されているが、高品質AlN自立基板の作製は未だ実現していない。成長用下地基板である6H-SiCはサファイアに比べてAlNとの格子定数差が近いため，ミスフィット転位の抑制に期待されている。しかし，6H-SiC基板上へのAlN成長では，10^9-10^10 cm^-2の転位密度が発生しているのが現状である。本研究では，AlN初期成長において核形成制御を行い，転位の発生と伝搬を抑制することで，転位密度が低く平滑なAlN膜を作製することを目指した。また溝加工6H-SiC基板上へのAlN厚膜成長を行い、貫通転位密度の測定も行った。 |
| （英） | Aluminum nitride (AlN) has a direct bandgap energy of 6.2 eV, which is the largest bandgap energy among III-V semiconductors. Consequently, AlN has significant potential for many applications, such as high power ultra violet (UV) light emitting diodes, laser diodes, and UV detector. However, it is difficult to fabricate thick and crack-free AlN layers owing to the lack of native substrates. 6H-SiC is a more suitable substrate than sapphire because of its better lattice match to AlN. However, AlN growth on 6H-SiC substrate generated dislocation density for 10^9-10-^10 cm^-2. There is a method of controlling nucleation and lateral growth using the three-dimensional (3D) and two-dimensional (2D) growth modes to reduce dislocation density. We performed control of nucleation for AlN growth on 6H-SiC substrate by low-pressure HVPE. | |
| キーワード | （和） | 減圧HVPE / AlN / 6H-SiC / 3D-2D法 / / / / |
| （英） | Low-pressure HVPE / AlN / 6H-SiC / 3D-2D method / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 330, CPM2013-140, pp. 79-82, 2013年11月. | |
| 資料番号 | CPM2013-140 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-81 CPM2013-140 LQE2013-116 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of nucleation for AlN growth on 6H-SiC substrate by low-pressure HVPE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 減圧HVPE / Low-pressure HVPE |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | 6H-SiC / 6H-SiC |
| キーワード(4)（和/英） | 3D-2D法 / 3D-2D method |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北川 慎 / Shin Kitagawa / キタガワ シン |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-29 11:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2013-81, CPM2013-140, LQE2013-116 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.79-82 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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