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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-29 11:00 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長 ○片桐正義・泉 健太・三宅秀人・平松和政（三重大）・奥 秀彦・浅村英俊・川村啓介（エア・ウォーターR&D）  ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114 |
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| 抄録 | （和） | Si 基板上のGaN 成長においては，熱膨張係数差に起因する基板の反りやクラックの発生，SiとGa との反応によるメルトバックエッチングなどの問題が今なお課題として残り, その根本的な解決が強く求められている. それらを解決する有効な方法の一つが3C-SiC 緩衝層を使用したSi 基板上GaN成長であり, 我々はその有用性を示した. 本研究では, Si 基板上のGaN 成長に最適な3C-SiC 膜厚を明らかにするために，3C-SiC 膜厚毎の表面状態と結晶性, GaN成長への影響について調べた． |
| （英） | Since GaN is desired for optical and electronic devices, therefore reduction of substrate cost is very important topic. As it is well known, GaN is difficult to be grown on Si because of large lattice mismatch (17 %), difference of thermal expansion (33 %) and melt-back reaction between Ga and Si. To overcome these problems, we have studied on epitaxy of high-quality GaN on Si with a 3C-SiC intermediate layer. In this study, we investigated effects of 3C-SiC intermediate layer thickness on surface morphology, crystalline quality and curvature of sample. | |
| キーワード | （和） | Si(111) / 3C-SiC / GaN / MOVPE / / / / |
| （英） | Si(111) / 3C-SiC / GaN / MOVPE / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 330, CPM2013-138, pp. 71-74, 2013年11月. | |
| 資料番号 | CPM2013-138 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN with thin 3C-SiC buffer layer on Si(111) substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si(111) / Si(111) |
| キーワード(2)（和/英） | 3C-SiC / 3C-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片桐 正義 / Masayoshi Katagiri / カタギリ マサヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 泉 健太 / Kenta Izumi / イズミ ケンタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥 秀彦 / Hidehiko Oku / オク ヒデヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | エア・ウォーター総合開発研究所 (略称： エア・ウォーターR&D) Air Water R&D Co., Ltd (略称： Air Water R&D) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅村 英俊 / Hidetoshi Asamura / アサムラ ヒデトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | エア・ウォーター総合開発研究所 (略称： エア・ウォーターR&D) Air Water R&D Co., Ltd (略称： Air Water R&D) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川村 啓介 / Keisuke Kawamura / カワムラ ケイスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | エア・ウォーター総合開発研究所 (略称： エア・ウォーターR&D) Air Water R&D Co., Ltd (略称： Air Water R&D) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-29 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2013-79, CPM2013-138, LQE2013-114 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.71-74 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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