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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-12-13 16:40 長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性 ○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大）  SDM2013-131 |
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| 抄録 | （和） | 強束縛（Tight Binding）近似法と原子価力場（Valence Force Field）モデルを用いて，長方形断面を有するGeナノワイヤのフォノン制限電子移動度を計算し，ナノワイヤの方位と断面形状に関する電子移動度の依存性を検討した． Geナノワイヤの伝導帯構造に基づいて解析を行い，移動度の形状依存性がGeナノワイヤの伝導帯構造から説明できることを示した．また，今回検討した形状の中で，[001]方向の高さが大きい断面を持つ[110]ナノワイヤが最も高い電子移動度を示したため，この構造はn-MOSFETのチャネル材料として適していることが分かった． |
| （英） | We calculated the phonon-limited electron mobility of Ge nanowires with rectangular cross sections using a tight-binding approximation and a valence force field model, and investigated the dependence of the electron mobility on orientations and cross-sectional shapes of nanowires. By analyzing the geometry dependence of mobility based on the conduction band structure of Ge nanowires, we showed that the dependence of mobility on wire geometry can be explained by the conduction band structure of Ge nanowires. In addition, [110]-oriented nanowires with larger cross-sectional height along [001] showed the highest electron mobility among several geometries investigated in this study, indicating that such nanowires are suitable as channel material of n-MOSFETs. | |
| キーワード | （和） | Geナノワイヤ / 電子移動度 / フォノン散乱 / 強束縛近似法 / 原子価力場モデル / / / |
| （英） | Ge Nanowire / Electron Mobility / Phonon Scattering / Tight-Binding Approximation / Valence Force Field Model / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 351, SDM2013-131, pp. 91-96, 2013年12月. | |
| 資料番号 | SDM2013-131 | |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-131 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Shape and Size Effects on Electron Mobility of Rectangular Cross-sectional Ge Nanowires |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Geナノワイヤ / Ge Nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | 電子移動度 / Electron Mobility |
| キーワード(3)（和/英） | フォノン散乱 / Phonon Scattering |
| キーワード(4)（和/英） | 強束縛近似法 / Tight-Binding Approximation |
| キーワード(5)（和/英） | 原子価力場モデル / Valence Force Field Model |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 一 / Hajime Tanaka / タナカ ハジメ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 誠悟 / Seigo Mori / モリ セイゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森岡 直也 / Naoya Morioka / モリオカ ナオヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-13 16:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-131 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.91-96 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) |
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