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| 講演名 | 2013-12-13 14:40 Cu/HfO2/Pt構造CB-RAMの動作特性に対する溶媒置換の影響 ○長谷川 祥・榎本雄太郎・片田直伸・伊藤敏幸・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大）  SDM2013-129 |
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| 抄録 | （和） | 導電性ブリッジ型Random Access Memory (CB-RAM)のメモリ層である酸化物多結晶薄膜をナノ多孔質体とみなし, その特徴に基づいてCB-RAMのメモリ特性を制御する方法として, 細孔エンジニアリングを提案する. この手法は, 細孔径, 細孔壁の制御及び細孔の溶媒を置換することでメモリ特性の制御を可能にしようとするものである. 本研究では, HfO2層に溶媒(水, イオン液体([bmim][TFSA], [P1ME][TFSA]))を供給したCu/HfO2/Pt構造のI-V特性を評価した結果, 溶媒置換によるセット電圧(Vset)及びフォーミング電圧(Vfrom)の低減が確認された. 更に, 溶媒の種類によらずIreset ∝ 1/RLRSの関係が成立することが示され, リセットが共通のメカニズムで動作していることが示唆された. 一方, Iresetは水を供給した場合のみ著しく低減した. |
| （英） | A ‘pore engineering’, which is a method for controlling the memory performance of conducting-bridge random access memory (CB-RAM) by regarding the polycrystalline oxide memory layer as a nanoporous body, is proposed. This method is intended to control the resistive switching properties by controlling the size, physical and chemical properties of the pores, and by providing an appropriate solvent to pores. In this paper, we confirmed that both forming and set voltages were decreased by providing solvents (water and ion liquids of [bmim][TFSA] and [P1ME][TFSA]) to the HfO2 layer of Cu/HfO2/Pt structures. In addition, the relationship of Ireset∝1/RLRS was true independently of types of solvents, suggesting that reset occurs by a common mechanism. On the other hand, Ireset decreased remarkably only when water was provided. | |
| キーワード | （和） | CB-RAM / 水 / HfO2 / イオンマイグレーション / / / / |
| （英） | CB-RAM / water / HfO2 / ion migration / nanopore / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 351, SDM2013-129, pp. 79-83, 2013年12月. | |
| 資料番号 | SDM2013-129 | |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-129 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Cu/HfO2/Pt構造CB-RAMの動作特性に対する溶媒置換の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Effect of Solvent Substitution on Memory Characteristics of Cu/HfO2/Pt Conducting-Bridge Random Access Memory (CB-RAM) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CB-RAM / CB-RAM |
| キーワード(2)（和/英） | 水 / water |
| キーワード(3)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(4)（和/英） | イオンマイグレーション / ion migration |
| キーワード(5)（和/英） | / nanopore |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 祥 / Sho Hasegawa / ハセガワ ショウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 榎本 雄太郎 / Yutaro Enomoto / エノモト ユウタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片田 直伸 / Naonobu Katada / カタダ ナオノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 敏幸 / Toshiyuki Ito / イトウ トシユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸田 悟 / Satoru Kishida / キシダ サトル |
| 第5著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-13 14:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-129 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.79-83 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) |
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