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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-12-16 17:00 低温成長GaAsテラヘルツ電磁波検出性能の光伝導スイッチ形状依存性 ○水井健太・川山 巌・村上博成・斗内政吉（阪大）  ED2013-98 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-98 |
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| 抄録 | （和） | 近年、テラヘルツ(THz)電磁波パルスを利用した応用研究が、情報通信やセキュリティ検査など様々な分野で精力的に進められている。このTHz電磁波パルスの検出素子としては、現在、波長780 nmフェムト秒パルスレーザーを利用する低温成長GaAs(LT-GaAs)光伝導アンテナ(PCA)が主流であるが、本研究ではその高感度化を目指して、スイッチ部の電極幅の異なるダイポール型PCAの作製を行い、その検出特性の評価を行った。 |
| （英） | Recently, terahertz (THz) electromagnetic wave technology has been paid much attention and developed in a variety of research fields, such as information and communications technology (ICT), security, and bio-medical science. For practical application of THz wave, it is important to develop further effective THz wave emitters and detectors. As for the THz detector, there is the mainstream to use photoconductive antenna of low-temperature-grown GaAs (LT-GaAs). In the present study, we have fabricated LT-GaAs photoconductive dipole antennas with different electrode width and investigated its performance as a THz detector. | |
| キーワード | （和） | テラヘルツ波 / 光伝導スイッチ / 低温成長GaAs / / / / / |
| （英） | Terahertz wave / Photoconductive switch / LT-GaAs / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 357, ED2013-98, pp. 47-52, 2013年12月. | |
| 資料番号 | ED2013-98 | |
| 発行日 | 2013-12-09 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-98 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-98 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2013-12-16 - 2013-12-17 |
| 開催地（和） | 東北大通研 |
| 開催地（英） | Research Institute of Electrical Communication Tohoku University |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter wave, terahertz wave devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低温成長GaAsテラヘルツ電磁波検出性能の光伝導スイッチ形状依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Geometry dependence of low-temperature grown GaAs photoconductive switches for terahertz detector |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ波 / Terahertz wave |
| キーワード(2)（和/英） | 光伝導スイッチ / Photoconductive switch |
| キーワード(3)（和/英） | 低温成長GaAs / LT-GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水井 健太 / Kenta Mizui / ミズイ ケンタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川山 巌 / Iwao Kawayama / カワヤマ イワオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 博成 / Hironaru Murakami / ムラカミ ヒロナル |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斗内 政吉 / Masayoshi Tonouchi / トノウチ マサヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-16 17:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-98 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.357 |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-12-09 (ED) |
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