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| 講演名 | 2013-12-17 10:35 半絶縁性GaAsのbelow gap光キャリア励起によるテラヘルツ放射 ○清水祐作・出崎 光・前田健作・小山 裕（東北大）  ED2013-103 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-103 |
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| 抄録 | （和） | 半導体結晶中のキャリアが伝導帯と浅い不純物準位間を放射遷移することを利用したテラヘルツ発生は1960年代から極低温での報告例があるが、本報告ではこれまでにない室温での発生及び新規な禁制帯エネルギー以下の励起光による発生について報告する。S.I.-GaAs結晶中にはその過剰砒素組成による深い準位とともに、浅いドナー不純物準位や浅いアクセプター準位が存在しており、励起されたキャリアが伝導帯または価電子帯から浅い不純物準位へ放射遷移することによりそのエネルギー差に対応するテラヘルツ波発生が期待できる。そこで本研究では、S.I.-GaAs結晶中の深い準位であるEL2準位を介してキャリア励起を行い、キャリアが浅い不純物準位へ放射遷移することで発生するテラヘルツ波の特性を測定したのでこれを報告する。 |
| （英） | Terahertz emission by radiative optical transitions in semi-conductors via shallow electronic state is investigated. Electrons can be excited to conduction band in Semi-Insulating GaAs (S.I.-GaAs) with below gap excitation energy using EL2 level which is located at the center of band gap. In this work, terahertz emission is observed from S.I.-GaAs by below gap excitation. The pump laser used is 1 m-wavelength DFB laser. For investigating the emission mechanisms, temperature dependence of terahertz emission intensity and emitted wave frequency characteristics are measured. It is shown that intense terahertz emission from S.I.-GaAs over high temperature area (120K~) was observed due to the thermal recovery of photo- quenched EL2 metastable state, and it means that shallow level transitions occur by below gap excitation via mid gap electronic state of EL2 level. | |
| キーワード | （和） | テラへルツ波 / GaAs / EL2準位 / / / / / |
| （英） | Terahertz wave / gallium arsenide / EL2 level / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 357, ED2013-103, pp. 75-79, 2013年12月. | |
| 資料番号 | ED2013-103 | |
| 発行日 | 2013-12-09 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-103 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-103 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2013-12-16 - 2013-12-17 |
| 開催地（和） | 東北大通研 |
| 開催地（英） | Research Institute of Electrical Communication Tohoku University |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter wave, terahertz wave devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 半絶縁性GaAsのbelow gap光キャリア励起によるテラヘルツ放射 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | THz emission from S.I.-GaAs by below gap excitation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラへルツ波 / Terahertz wave |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / gallium arsenide |
| キーワード(3)（和/英） | EL2準位 / EL2 level |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 祐作 / Yusaku Shimizu / シミズ ユウサク |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出崎 光 / Hikari Dezaki / デザキ ヒカリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 健作 / Kensaku Maeda / マエダ ケンサク |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 裕 / Yutaka Oyama / オヤマ ユタカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-17 10:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-103 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.357 |
| ページ範囲 | pp.75-79 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-12-09 (ED) |
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