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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-01-16 11:45 Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET ○東脇正高（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・ワン マンホイ・上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ）  ED2013-116 MW2013-181 |
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| 抄録 | （和） | 我々は，新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した．今回作製したデバイスにおいて，Siイオン注入ドーピングを低抵抗オーミックコンタクトの作製だけではなく，n型チャネル領域にも用いている．また，原子層エピタキシー法により堆積したAl2O3薄膜を，ゲート絶縁膜およびパッシベーション膜として利用している．作製したGa2O3 MOSFETは，その非常に単純な構造にもかかわらず，室温においてオフ耐圧415 V，ドレイン電流オン/オフ比が10桁程度に代表される優れたデバイス特性を示した．また，250℃までの環境において安定したトランジスタ動作が得られることを証明した． |
| （英） | Depletion-mode gallium oxide (Ga2O3) MOSFETs were fabricated on single-crystal beta-Ga2O3 (010) substrates. We applied Si-ion implantation to the ohmic contacts for low contact resistance as well as to the channel layer for reliable doping. An Al2O3 gate dielectric film formed by atomic layer deposition passivated the device surface and significantly reduced gate leakage. The MOSFETs with a simple structure exhibited complete channel pinch-off with a breakdown voltage of 415 V and a drain current on/off ratio of ten orders of magnitude at room temperature. The devices also showed stable operation up to 250C. | |
| キーワード | （和） | 酸化ガリウム(Ga2O3) / MOSFET / ディプレッション型 / イオン注入 / / / / |
| （英） | gallium oxide (Ga2O3) / metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) / depletion mode / ion implantation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 378, ED2013-116, pp. 35-39, 2014年1月. | |
| 資料番号 | ED2013-116 | |
| 発行日 | 2014-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-116 MW2013-181 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2014-01-16 - 2014-01-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | パワーデバイスおよび超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Power devices, High-speed and high-frequency devices, Microwave Technologies, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Depletion-mode gallium oxide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated by using Si-ion implantation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ガリウム(Ga2O3) / gallium oxide (Ga2O3) |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) |
| キーワード(3)（和/英） | ディプレッション型 / depletion mode |
| キーワード(4)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki / ヒガシワキ マサタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 公平 / Kohei Sasaki / ササキ コウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | タムラ製作所/情報通信研究機構 (略称： タムラ製作所/NICT) Tamura Corporation/National Institute of Information and Communications Technology (略称： Tamura/NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | ワン マンホイ / Man Hoi Wong / ワン マンホイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 崇史 / Takafumi Kamimura / カミムラ タカフミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | ダイワシガマニ キルシナムルティ / Daivasigamani Krishnamurthy / ダイワシガマニ キルシナムルティ |
| 第5著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉又 朗人 / Akito Kuramata / クラマタ アキト |
| 第6著者 所属（和/英） | タムラ製作所 (略称： タムラ製作所) Tamura Corporation (略称： Tamura) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増井 建和 / Takekazu Masui / マスイ タケカズ |
| 第7著者 所属（和/英） | 光波 (略称： 光波) Koha Co., Ltd. (略称： Koha) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山腰 茂伸 / Shigenobu Yamakoshi / ヤマコシ シゲノブ |
| 第8著者 所属（和/英） | タムラ製作所 (略称： タムラ) Tamura Corporation (略称： Tamura) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-01-16 11:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-116, MW2013-181 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.378(ED), no.379(MW) |
| ページ範囲 | pp.35-39 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-01-09 (ED, MW) |
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