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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-01-17 09:30 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価 ○吉本 晋・石原邦亮・岡田政也・住吉和英・平野英則・三橋史典・善積祐介・石塚貴司・木山 誠・上野昌紀（住友電工）  ED2013-124 MW2013-189 |
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| 抄録 | （和） | 窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面積効率のデバイスが期待できる。我々はこれまで低転位GaN基板上に電界効果トランジスタ(FET)およびショットキーバリアダイオード(SBD)の縦型デバイスを作製し、静特性にて評価・実証してきた。今回さらに、縦型GaN-SBDでの逆回復特性評価を行い，SiダイオードやSiCダイオードと比較して高速なターンオフ特性を示した．また縦型GaN-SBDの長期通電試験を行い，順方向・逆方向ともに1000hまで安定した結果を得た． |
| （英） | Vertical GaN power devices which are fabricated on free-standing GaN substrates are expected for reduction of collapse, low on-resistance and high area efficiency. We fabricated vertical Heterojunction Field Effect Transistors (HFETs) and vertical Schottky Barrier Diodes (SBDs) on free-standing GaN substrates with low dislocation density, measured static characteristics. We also measured reverse recovery and aging characteristics of vertical SBDs. Vertical SBDs showed faster reverse recovery than Si and SiC diodes, and stable forward/reverse aging characteristics for 1000h. | |
| キーワード | （和） | GaN基板 / AlGaN/GaN / heterojunction field-effect transistor / schottky barrier diode / / / / |
| （英） | GaN substrate / AlGaN/GaN / heterojunction field-effect transistor / schottky barrier diode / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 378, ED2013-124, pp. 79-84, 2014年1月. | |
| 資料番号 | ED2013-124 | |
| 発行日 | 2014-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-124 MW2013-189 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2014-01-16 - 2014-01-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | パワーデバイスおよび超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Power devices, High-speed and high-frequency devices, Microwave Technologies, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of Vertical GaN schottky barrier diodes and Heterojunction-Field-Effect Transistors on Low-Dislocation-Density GaN substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN基板 / GaN substrate |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(3)（和/英） | heterojunction field-effect transistor / heterojunction field-effect transistor |
| キーワード(4)（和/英） | schottky barrier diode / schottky barrier diode |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉本 晋 / Susumu Yoshimoto / ヨシモト ススム |
| 第1著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： Sumitomo Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石原 邦亮 / Kuniaki Ishihara / イシハラ クニアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： Sumitomo Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 政也 / Masaya Okada / オカダ マサヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： Sumitomo Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 住吉 和英 / Kazuhide Sumiyoshi / スミヨシ カズヒデ |
| 第4著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： Sumitomo Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平野 英則 / Hidenori Hirano / ヒラノ ヒデノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： Sumitomo Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三橋 史典 / Fuminori Mitsuhashi / ミツハシ フミノリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： Sumitomo Electric) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 善積 祐介 / Yusuke Yoshizumi / ヨシズミ ヨウスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： Sumitomo Electric) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石塚 貴司 / Takashi Ishizuka / イシズカ タカシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： Sumitomo Electric) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木山 誠 / Makoto Kiyama / キヤマ マコト |
| 第9著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： Sumitomo Electric) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 昌紀 / Masaki Ueno / ウエノ マサノリ |
| 第10著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称： Sumitomo Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-01-17 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-124, MW2013-189 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.378(ED), no.379(MW) |
| ページ範囲 | pp.79-84 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-01-09 (ED, MW) |
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