講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-01-28 15:00
[ポスター講演]抵抗変化型メモリ(ReRAM)のデータ保持特性の解析 ○山沢裕紀(中大)・田中丸周平(中大/東大)・竹内 健(中大) ICD2013-114 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-114 |
抄録 |
(和) |
抵抗変化型メモリ(Resistive RAM; ReRAM)は、高い耐久性かつ低消費電力、高速な読み書きが可能なため次世代不揮発メモリとして注目されている。Formingという電圧を与えることで導電性のフィラメントが成長し、ReRAMはメモリとして使用可能となる。Formingと逆・同方向の電圧パルスを与える(Reset/Set)と、フィラメントが破壊・再成長して高・低抵抗状態になる。抵抗値の大小が“1”または“0”のデータに割り当てられる。本論文では、ReRAMのデータ保持時における信頼性の評価の結果を報告する。 |
(英) |
Resistive RAM (ReRAM) is one of the most promising candidates for next generation nonvolatile memories due to its potential to provide fast write and read, high endurance and low power operation. A conductive filament is generated by a voltage pulse called Forming. ReRAM becomes high/low resistance state when a conductive filament is destroyed/regrown by voltage pulse of reverse/same direction to/as Forming, respectively. High or low resistance is assigned to “1” or “0”. This paper reports data-retention reliability evaluation of ReRAM. |
キーワード |
(和) |
ReRAM / 信頼性 / データ保持 / / / / / |
(英) |
ReRAM / reliability / data-retention / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-114, pp. 37-37, 2014年1月. |
資料番号 |
ICD2013-114 |
発行日 |
2014-01-21 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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