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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-01-28 15:00 ［ポスター講演］損失のある非線形容量モデルを用いたダイオードのモデリング ○奈原 諒・片山光亮・高野恭弥・本良瑞樹・天川修平・吉田 毅・藤島 実（広島大）  ICD2013-127 |
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| 抄録 | （和） | 消費電力や回路特性を推定するために回路シミュレーションに用いられるMOSFETモデルでは，DC，小信号，大信号それぞれの特性で実測結果と乖離がないことが求められる．しかし，これまで小信号特性の測定結果から求められたMOSFETのモデルでは，大信号特性のシミュレーションが実測結果と乖離していた．そこで本稿では，MOSFETの一部であるpn接合についてSパラメータ測定の結果から非線形モデルを作成する為に，pn接合ダイオードを65nm CMOSプロセスで試作し，60GHzまでの測定結果を損失のある非線形容量としてモデル化を試みた．本研究成果は，MOSFETに適用することにより，小信号特性から大信号特性まで実測と乖離のないモデルを構築できると期待される |
| （英） | For precise estimation of power consumption and circuit characteristics, MOSFET models used in circuit simulation should have predictive power for measured results of DC, small-signal and large-signal characteristics. By using the MOSFET model constructed only from small-signal characteristics, however, measured and simulated results of large-signal characteristics often show considerable discrepancy. In this paper, a nonlinear diode model, as a part of the MOSFET, is obtained from bias-dependent scattering parameters. A pn diode is fabricated with 65nm CMOS process and it is modeled as a lossy nonlinear capacitor using voltage-dependent small-signal characteristics from DC to 60 GHz. The diode model is expected to contribute to a predictive MOSFET model for large-signal characteristics as well as small-signal characteristics. | |
| キーワード | （和） | ダイオード / MOSFET / モデリング / 非線形素子 / / / / |
| （英） | diode / MOSFET / modeling / non-linear device / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-127, pp. 63-63, 2014年1月. | |
| 資料番号 | ICD2013-127 | |
| 発行日 | 2014-01-21 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2013-127 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2014-01-28 - 2014-01-29 |
| 開催地（和） | 京都大学時計台記念館 |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. Tokeidai Kinenkan |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2014-01-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 損失のある非線形容量モデルを用いたダイオードのモデリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Diode Modeling with Lossy Nonlinear Capacitance Model |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイオード / diode |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | モデリング / modeling |
| キーワード(4)（和/英） | 非線形素子 / non-linear device |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奈原 諒 / Ryo Nahara / ナハラ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 光亮 / Kosuke Katayama / カタヤマ コウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 恭弥 / Kyoya Takano / タカノ キョウヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本良 瑞樹 / Mizuki Motoyoshi / モトヨシ ミズキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天川 修平 / Shuhei Amakawa / アマカワ シュウヘイ |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 毅 / Takeshi Yoshida / ヨシダ タケシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤島 実 / Minoru Fujishima / フジシマ ミノル |
| 第7著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-01-28 15:00:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2013-127 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.419 |
| ページ範囲 | p.63 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2014-01-21 (ICD) |
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