| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2014-01-28 15:00
[ポスター講演]NANDフラッシュメモリの信頼性の評価 ○北村雄太(中大)・田中丸周平(中大/東大)・竹内 健(中大) ICD2013-117 |
| 抄録 |
(和) |
NANDフラッシュメモリは高電圧を利用してfloating gate (FG)に電子を注入・注出することでメモリとして動作する。NANDフラッシュメモリの微細化が進むとFG内の電子数が減少し、データ保持時に抜け落ちる電子1つが信頼性特性に与える影響が大きくなる。さらにNANDフラッシュメモリの信頼性の特性は温度や書き換え回数でも異なってくる。本論文では、温度や書き換え回数を変化させ、NANDフラッシュメモリのデータ保持の信頼性評価を行った。また、高信頼性手法提案のためにNANDフラッシュメモリのエラーパターンの検証も同様に行った。 |
| (英) |
NAND flash memory operates as a memory by inserting/removing electrons to/from floating gate (FG) by a high voltage. Since the number of electrons in the FG decreases by the scaling of NAND flash memory, one electron falling out from the FG during data retention has significant impact on the reliability characteristics. In addition, due to the number of rewriting and temperature, reliability characteristics of NAND flash memory also change. This paper shows data retention evaluation of NAND flash memory by changing the number of rewriting and temperature. Furthermore, the error patterns of NAND flash memory are inspected to propose a high reliability technique. |
| キーワード |
(和) |
NANDフラッシュメモリ / 信頼性 / データ保持 / / / / / |
| (英) |
NAND flash memory / reliability / data retention / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-117, pp. 43-43, 2014年1月. |
| 資料番号 |
ICD2013-117 |
| 発行日 |
2014-01-21 (ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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