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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-01-29 15:55 ［招待講演］1.2μm裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造 篠原武一・○渡辺一史（ソニーセミコンダクタ）・太田和伸（ソニー）・中山 創（ソニーセミコンダクタ）・森川隆史（ソニー）・大野圭一・杉本 大（ソニーセミコンダクタ）・門村新吾・平山照峰（ソニー）  SDM2013-146 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-146 |
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| 抄録 | （和） | 1.20μm裏面照射型CMOSイメージセンサに適用した二つの三次元画素構造、縦型転送ゲート(VTG)と埋め込み遮光メタル(BSM)について報告する。VTGにより劇的に改善された電荷転送能力と新しい画素設計により60%高い飽和信号を、BSMにより広範囲の主光線入射角に対して50%低いクロストークを実現した。両技術ともにSi基板に三次元構造を形成する構造であるにもかかわらず暗電流や暗時白点の増加なしに実現している。 |
| （英） | We propose two technologies, vertical transfer gate (VTG) and buried shielding metal (BSM), that can be applied to 1.20 μm pixel back-illuminated CMOS image sensor (BI-CIS). With the VTG and BSM, the new pixel design exhibited 60% higher saturation signals and 50% lower crosstalk at wide chief ray angle (CRA). Even though both technologies have a three-dimensional structure formed on Si substrate, our process technology enabled them to be applied without increasing white blemish count or dark current degradation. | |
| キーワード | （和） | CMOSイメージセンサ / 裏面照射型CIS / 三次元構造 / 飽和信号 / クロストーク / VTG / BSM / |
| （英） | CMOS image sensor / Back-illuminated CIS / three-dimensional structure / saturation signals / crosstalk / VTG / BSM / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 420, SDM2013-146, pp. 47-50, 2014年1月. | |
| 資料番号 | SDM2013-146 | |
| 発行日 | 2014-01-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-146 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-146 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-01-29 - 2014-01-29 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端CMOSデバイス・プロセス技術（IEDM特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 1.2μm裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Three-dimensional Structures for High Saturation Signals and Crosstalk Suppression in 1.20 μm Pixel Back-Illuminated CMOS Image Sensor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOSイメージセンサ / CMOS image sensor |
| キーワード(2)（和/英） | 裏面照射型CIS / Back-illuminated CIS |
| キーワード(3)（和/英） | 三次元構造 / three-dimensional structure |
| キーワード(4)（和/英） | 飽和信号 / saturation signals |
| キーワード(5)（和/英） | クロストーク / crosstalk |
| キーワード(6)（和/英） | VTG / VTG |
| キーワード(7)（和/英） | BSM / BSM |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 武一 / Takekazu Shinohara / シノハラ タケカズ |
| 第1著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタ株式会社 (略称： ソニーセミコンダクタ) Sony Semiconductor Corporation (略称： Sony Semiconductor) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 一史 / Kazufumi Watanabe / |
| 第2著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタ株式会社 (略称： ソニーセミコンダクタ) Sony Semiconductor Corporation (略称： Sony Semiconductor) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 和伸 / Kazunobu Ohta / |
| 第3著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 創 / Hajime Nakayama / |
| 第4著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタ株式会社 (略称： ソニーセミコンダクタ) Sony Semiconductor Corporation (略称： Sony Semiconductor) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森川 隆史 / Takafumi Morikawa / |
| 第5著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 圭一 / Keiichi Ohno / |
| 第6著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタ株式会社 (略称： ソニーセミコンダクタ) Sony Semiconductor Corporation (略称： Sony Semiconductor) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉本 大 / Dai Sugimoto / |
| 第7著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタ株式会社 (略称： ソニーセミコンダクタ) Sony Semiconductor Corporation (略称： Sony Semiconductor) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 門村 新吾 / Shingo Kadomura / |
| 第8著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 照峰 / Teruo Hirayama / |
| 第9著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
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| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2014-01-29 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-146 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.420 |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-01-22 (SDM) |
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