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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-01-29 13:00 ［招待講演］半導体不揮発メモリを用いた次世代SSDの研究開発 ○上口 光（中大）  ICD2013-135 |
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| 抄録 | （和） | 近年NANDフラッシュメモリの低コスト化により，ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）がハードディスク（HDD）に取って変わろうとしている．この流れは，従来のSSDの応用先であったモバイル機器にとどまらず，データセンタといった，より大きく，高性能で，且つ，高信頼性が求められるマーケットにまで広がっている．こういった応用に適合するためには、半導体不揮発メモリデバイスの特長を理解し，その特性を活かす回路，システム技術を構築することが不可欠である．そこで本発表では，現在の主流不揮発メモリである、NANDフラッシュメモリの現状と，次世代と言われる，ReRAM、相変化メモリといった抵抗変化型メモリの回路技術の設計事例について紹介する．また，筆者がこれまでに行ってきた回路設計の経験から，若い次世代を担う学生へ伝えたいメッセージについて議論する． |
| （英） | Thanks to the recent fabrication technology development, the bit cost of NAND flash memories has been reduced. Thus, solid-state-drives (SSDs) replace hard-disk-drives (HDDs) as storage devices. This replacement trend is not exclusive to mobile devices but extended to data-center applications which require higher performance and reliability. In order to meet these requirements, it is essential to understand the device characteristics of the non-volatile memories and to develop the circuits and systems which fully utilize their advanced property. Therefore, this paper presents the current status and issues of the mainstream semiconductor storage device; NAND flash memory and also introduces the design examples of the next generation storage class memories; resistive RAM (ReRAM) and phase change memory (PCM). In addition, some message will be passed to young student researchers from author's experience. | |
| キーワード | （和） | 不揮発メモリ / NAND型フラッシュメモリ / 抵抗変化型メモリ / ReRAM / 相変化メモリ / PCM / / |
| （英） | Non-Volatile Memory / NAND Flash Memory / Resistive RAM / ReRAM / Phase Change Memory / PCM / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-135, pp. 83-83, 2014年1月. | |
| 資料番号 | ICD2013-135 | |
| 発行日 | 2014-01-21 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2013-135 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2014-01-28 - 2014-01-29 |
| 開催地（和） | 京都大学時計台記念館 |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. Tokeidai Kinenkan |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2014-01-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 半導体不揮発メモリを用いた次世代SSDの研究開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Next-Generation Solid-State-Drive Design with Semiconductor Non-Volatile Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発メモリ / Non-Volatile Memory |
| キーワード(2)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND Flash Memory |
| キーワード(3)（和/英） | 抵抗変化型メモリ / Resistive RAM |
| キーワード(4)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(5)（和/英） | 相変化メモリ / Phase Change Memory |
| キーワード(6)（和/英） | PCM / PCM |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上口 光 / Koh Johguchi / ジョウグチ コウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-01-29 13:00:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2013-135 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.419 |
| ページ範囲 | p.83 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2014-01-21 (ICD) |
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