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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-02-27 14:40 プラスチック基板上におけるn型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価 ○安西智洋・岸本 茂・大野雄高（名大）  ED2013-134 SDM2013-149 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-134 SDM2013-149 |
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| 抄録 | （和） | 転写法により形成したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜と、ポリエチレンイミン(PEI)による化学ドーピングを用いて、プラスチック基板上に高移動度n型CNT TFTを実現した。また、大気中で見られた素子電流の不安定性の原因を調べるため、様々な雰囲気下にて素子特性を測定した。その結果、水と酸素が共存する場合に顕著な不安定性が表れることを見出した。これは水と酸素による酸化還元反応が関係していることを示唆している。また、測定雰囲気中の水蒸気によりPEIを介したリーク電流が観測された。低温原子層堆積法によりAl_2O_3による表面保護膜を形成することにより、素子特性の安定性に改善が見られた。 |
| （英） | We realized high mobility n-type carbon nanotube thin-film transistors on a plastic film using the transfer process and chemical doping technique with polyethyleneimine (PEI). The effect of ambient air on the device instability was studied. The results show that a combination of water and oxygen predominantly causes the instability, suggesting that a water/oxygen redox reaction is responsible for the instability. In addition, the water caused the gate leakage current through the PEI. Surface passivation with Al_2O_3 layer deposited by a low-temperature atomic layer deposition technique notably improved the stability of the device properties in ambient air. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / 薄膜トランジスタ / フレキシブル / 化学ドーピング / n型 / 安定性 / 表面保護 / |
| （英） | carbon nanotube / thin-film transistor / flexible / chemical doping / n-type / stability / surface passivation / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 449, ED2013-134, pp. 13-18, 2014年2月. | |
| 資料番号 | ED2013-134 | |
| 発行日 | 2014-02-20 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-134 SDM2013-149 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-134 SDM2013-149 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2014-02-27 - 2014-02-28 |
| 開催地（和） | 北海道大学百年記念会館 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. Centennial Hall |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | プラスチック基板上におけるn型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of n-type carbon nanotube thin film transistors on plastic film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin-film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | フレキシブル / flexible |
| キーワード(4)（和/英） | 化学ドーピング / chemical doping |
| キーワード(5)（和/英） | n型 / n-type |
| キーワード(6)（和/英） | 安定性 / stability |
| キーワード(7)（和/英） | 表面保護 / surface passivation |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安西 智洋 / Tomohiro Yasunishi / ヤスニシ トモヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 雄高 / Yutaka Ohno / オオノ ユタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-02-27 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-134, SDM2013-149 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.449(ED), no.450(SDM) |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-02-20 (ED, SDM) |
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