講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-02-27 15:40
SiC-BGSITを用いた部分共振形プッシュプルコンバータの動作特性 ○舩津龍浩・田中哲郎(鹿児島大) EE2013-57 CPM2013-158 エレソ技報アーカイブへのリンク: CPM2013-158 |
抄録 |
(和) |
SiC-BGSIT(埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ)はSi-MOSFETと同等のスイッチング速度を持ち、より高耐圧、低オン抵抗であるという特長を持つ。本報告では、ノーマリオンSiC-BGSITを組み込んだ部分共振形プッシュプルコンバータの定常特性と動特性について発表する。比較としてSi-MOSFETを用いた回路との特性比較を行い、検討した結果をまとめる。 |
(英) |
SiC-BGSIT (Buried Gate Static Induction Transistor) has the advantage Si-MOSFET of high breakdown voltage and low on state resistance. and moreover, SiC-BGSIT has high switching speed equal to that of Si-MOSFET. We report results are dynamics and steady-state characteristics of partial-resonant push-pull converter employing normally-on SiC-BGSIT and employing Si-MOSFET. We compared SiC-BGSIT with Si-MOSFET. |
キーワード |
(和) |
SiC / BGSIT / 電圧共振 / 部分共振 / プッシュプルコンバータ / / / |
(英) |
SiC / BGSIT / voltage-resonant / partial-resonant / push-pull converter / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 444, EE2013-57, pp. 49-54, 2014年2月. |
資料番号 |
EE2013-57 |
発行日 |
2014-02-20 (EE, CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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