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講演抄録/キーワード
講演名 2014-02-27 15:40
SiC-BGSITを用いた部分共振形プッシュプルコンバータの動作特性
舩津龍浩田中哲郎鹿児島大EE2013-57 CPM2013-158 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2013-158
抄録 (和) SiC-BGSIT(埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ)はSi-MOSFETと同等のスイッチング速度を持ち、より高耐圧、低オン抵抗であるという特長を持つ。本報告では、ノーマリオンSiC-BGSITを組み込んだ部分共振形プッシュプルコンバータの定常特性と動特性について発表する。比較としてSi-MOSFETを用いた回路との特性比較を行い、検討した結果をまとめる。 
(英) SiC-BGSIT (Buried Gate Static Induction Transistor) has the advantage Si-MOSFET of high breakdown voltage and low on state resistance. and moreover, SiC-BGSIT has high switching speed equal to that of Si-MOSFET. We report results are dynamics and steady-state characteristics of partial-resonant push-pull converter employing normally-on SiC-BGSIT and employing Si-MOSFET. We compared SiC-BGSIT with Si-MOSFET.
キーワード (和) SiC / BGSIT / 電圧共振 / 部分共振 / プッシュプルコンバータ / / /  
(英) SiC / BGSIT / voltage-resonant / partial-resonant / push-pull converter / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 444, EE2013-57, pp. 49-54, 2014年2月.
資料番号 EE2013-57 
発行日 2014-02-20 (EE, CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EE2013-57 CPM2013-158 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2013-158

研究会情報
研究会 EE CPM  
開催期間 2014-02-27 - 2014-02-27 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 電池技術関連,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EE 
会議コード 2014-02-EE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiC-BGSITを用いた部分共振形プッシュプルコンバータの動作特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Operating characteristics of partial-resonant push-pull converter employing SiC-BGSIT 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SiC / SiC  
キーワード(2)(和/英) BGSIT / BGSIT  
キーワード(3)(和/英) 電圧共振 / voltage-resonant  
キーワード(4)(和/英) 部分共振 / partial-resonant  
キーワード(5)(和/英) プッシュプルコンバータ / push-pull converter  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 舩津 龍浩 / Tatsuhiro Funatsu / フナツ タツヒロ
第1著者 所属(和/英) 鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 哲郎 / Tetsuro Tanaka / タナカ テツロウ
第2著者 所属(和/英) 鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-02-27 15:40:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 EE 
資料番号 EE2013-57, CPM2013-158 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.444(EE), no.445(CPM) 
ページ範囲 pp.49-54 
ページ数
発行日 2014-02-20 (EE, CPM) 


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