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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-02-28 13:50 ［招待講演］インプラント法によるカーボンナノチューブプラグの作製とスパッタアニール法による多層グラフェン配線の接合 ○佐藤元伸・高橋 慎・二瓶瑞久・佐藤信太郎・横山直樹（産総研）  SDM2013-170 |
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| 抄録 | （和） | カーボンナノチューブ（CNT）を微細孔に転写・移植（インプラント）する新たなプロセスを開発した。LSIのプラグやビア、TSVなどに応用可能で、室温でデバイス内にCNTをインプラントすることができる。CNTの成長プロセスとインプラントプロセスを独立に行うため、CNTの成長温度の上限がなくなり、しかも、成長したCNT密度よりも高密度にインプラントすることができる。そのため、今回作製したインプラントCNTプラグは、金属配線との接続において、従来の直接成長CNTプラグよりも１桁低い抵抗となった。また、スパッタアニール法で合成した多層グラフェン配線（MLG）との接続も試み、TiN/Tiコンタクトメタルを用いることによって、MLG配線とCNTプラグの接合が可能であることを示した。今後、CNT成長条件の最適化により高品質なCNTが合成され、さらに上下配線とのコンタクト抵抗が低減できれば、このインプラント法によって低抵抗なCNTプラグが作製できると期待される。 |
| （英） | We have developed a novel process, the implantation of carbon nanotubes (CNTs) into holes like plugs, vias, and through-silicon vias (TSVs) for the first time. The developed room-temperature process is suitable for back-end-of-line (BEOL) processes of LSI. With this approach, we can use high-quality CNTs grown at high temperature on a different substrate and densify the CNTs. Consequently, the implanted CNT plugs with metal wires had a resistance one order of magnitude lower than the directly grown CNT plugs. In addition, by using TiN/Ti as contact metal layers, we successfully integrated the implanted CNT plug with transferred multilayer graphene (MLG) wires obtained by annealing sputtered amorphous carbon for all carbon interconnects. The implantation method is expected to be able to fabricate the low-resistance CNT plugs by using high-quality CNTs and improving the connection to the wires. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / インプラント法 / プラグ / 多層グラフェン / 転写 / 配線 / / |
| （英） | Carbon nanotube / Implantation / Plug / Multilayer graphene / Transfer / Interconnects / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 451, SDM2013-170, pp. 29-33, 2014年2月. | |
| 資料番号 | SDM2013-170 | |
| 発行日 | 2014-02-21 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-170 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-02-28 - 2014-02-28 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | インプラント法によるカーボンナノチューブプラグの作製とスパッタアニール法による多層グラフェン配線の接合 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Novel Implantation Process of Carbon Nanotubes for Plugs and Vias, and their Integration with Transferred Multilayer Graphene Wire Obtained by Annealing Sputtered Amorphous Carbon |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / Carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | インプラント法 / Implantation |
| キーワード(3)（和/英） | プラグ / Plug |
| キーワード(4)（和/英） | 多層グラフェン / Multilayer graphene |
| キーワード(5)（和/英） | 転写 / Transfer |
| キーワード(6)（和/英） | 配線 / Interconnects |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 元伸 / Motonobu Sato / サトウ モトノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 慎 / Makoto Takahashi / タカハシ マコト |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二瓶 瑞久 / Mizuhisa Nihei / ニヘイ ミズヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 信太郎 / Shintaro Sato / サトウ シンタロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 直樹 / Naoki Yokoyama / ヨコヤマ ナオキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-02-28 13:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-170 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.451 |
| ページ範囲 | pp.29-33 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-02-21 (SDM) |
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