| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-02-28 10:10 ［招待講演］先端Low-k配線技術における課題と指針 ○井上尚也（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2013-166 |
|
| 抄録 | （和） | 先端LSIの多層配線の開発トレンドを概観しながら、Low-k材料に注目したインテグレーションの課題とその解決策についてまとめた。トランジスタのスケーリングとFinFET化により、中距離配線における寄生抵抗が遅延や消費電力に影響するようになる。そこで、配線アスペクトを上げて配線抵抗を抑制しながら、層間絶縁膜を低誘電率化(Low-k化)して配線容量を抑制するという戦略が必要となる。Low-k化に関しては、機械的強度の低下による実装耐性の劣化と、プラズマダメージによる実効的なk値の増大が課題である。これらの問題を解決するため、Low-k膜の分子構造や化学構造の制御と、プロセス条件の最適化を行った。また、検討の結果得られた高信頼性Low-k膜を用いて微細配線 (80nmピッチ) のインテグレーションを行い、配線容量の低減とTDDB信頼性のスケーラビリティを実証した。 |
| （英） | Looking at the trend in Cu/Low-k interconnect technology, integration issues and solutions are discussed from the viewpoint of low-k material and process. Lowering k-number of ULK is facing the issues about CPI (chip-package interaction) and PID (plasma induced damage) which degrade the reliability of integrated interconnects. CPI can be improved by controlling microstructure of the film and process optimizations, and low porosity and high carbon can improve the immunity against plasma process. These are verified through actual integration of the ULKs with k~2.5. Especially, low effective capacitance is demonstrated for low PID film by using 80 nm pitch integration, comparing with other ULKs. | |
| キーワード | （和） | 多層配線 / Low-k / スケーリング / 配線遅延 / 実装耐性 / ダメージ / / |
| （英） | interconnect / low-k / scaling / delay / CPI (chip-package interaction) / PID (plasma-induced damage) / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 451, SDM2013-166, pp. 7-12, 2014年2月. | |
| 資料番号 | SDM2013-166 | |
| 発行日 | 2014-02-21 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-166 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-02-28 - 2014-02-28 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 先端Low-k配線技術における課題と指針 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Trend of practical technology in advanced low-k integration |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多層配線 / interconnect |
| キーワード(2)（和/英） | Low-k / low-k |
| キーワード(3)（和/英） | スケーリング / scaling |
| キーワード(4)（和/英） | 配線遅延 / delay |
| キーワード(5)（和/英） | 実装耐性 / CPI (chip-package interaction) |
| キーワード(6)（和/英） | ダメージ / PID (plasma-induced damage) |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 尚也 / Naoya Inoue / イノウエ ナオヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-02-28 10:10:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-166 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.451 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-02-21 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]