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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-02-28 15:20 ［招待講演］気相堆積重合ポリイミドを用いたTSVライナー形成 ○福島誉史・マリアッパン ムルゲサン・べ 志哲・李 康旭・小柳光正（東北大）  SDM2013-172 |
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| 抄録 | （和） | 気相堆積重合により200℃でピロメリット酸二無水物と4,4’-オキシジアニリンからなるKapton構造のポリイミド絶縁膜を高い被覆率でシリコンの深溝に形成した。シリコン深溝の直径が5μm、10μm、15μmの際、上部と底部の被覆率はそれぞれ約75%、80%、100%であった。また、100nm以下から2000nm以上の薄膜まで幅広い厚さで制御可能であった。さらに、TDS分析の結果から、得られた薄膜は、380℃まで脱ガスが無く、熱的に安定であることが分かった。このポリイミド絶縁膜を用いて、直径5μm、アスペクト8以上のCu-TSV(Through-Si Via)を電解めっきをにより形成することに成功した。 |
| （英） | A Kapton insulation layer as a TSV liner was conformably formed by vapor deposition polymerization with pyromellitic dianhydride (PMDA) and 4,4'-oxydianiline (ODA) along deep Si vias at 200°C. The step coverages were approximately 75%, 80%, and 100% when we used the vias with diameters of 5μm, 10μm, and 15μm, respectively. The thicknesses ranging from 100 nm or below to 2000 nm or above were controllable. In addition, the polyimide TSV liner was stable at 380°C, where no vaporized molecules were observed from a TDS analysis. 5-μm-diameter fine Cu-TSVs (aspect ratio: > 8) with the polyimide liner were successfully formed by bottom-up electroplating. | |
| キーワード | （和） | シリコン貫通配線 / TSV絶縁膜 / ポリイミド / 気相堆積重合 / 三次元集積回路 / / / |
| （英） | Through-Silicon Via / TSV Liner / Polyimide / Vapor Deposition Polymerization / 3D LSI / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 451, SDM2013-172, pp. 39-42, 2014年2月. | |
| 資料番号 | SDM2013-172 | |
| 発行日 | 2014-02-21 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-172 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-02-28 - 2014-02-28 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 気相堆積重合ポリイミドを用いたTSVライナー形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | TSV Liner Formation with Vapor Deposited Polyimides |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン貫通配線 / Through-Silicon Via |
| キーワード(2)（和/英） | TSV絶縁膜 / TSV Liner |
| キーワード(3)（和/英） | ポリイミド / Polyimide |
| キーワード(4)（和/英） | 気相堆積重合 / Vapor Deposition Polymerization |
| キーワード(5)（和/英） | 三次元集積回路 / 3D LSI |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福島 誉史 / Takafumi Fukushima / |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | マリアッパン ムルゲサン / Mariappan Murugesan / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | べ 志哲 / Jicheol Bea / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 李 康旭 / Kangwook Lee / |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小柳 光正 / Mitsumasa Koyanagi / |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-02-28 15:20:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-172 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.451 |
| ページ範囲 | pp.39-42 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-02-21 (SDM) |
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