| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-04-10 15:30 ［招待講演］非晶質絶縁体上における大粒径Ge(111)薄膜のAl誘起低温成長 ○都甲 薫・末益 崇（筑波大）  SDM2014-6 OME2014-6 |
|
| 抄録 | （和） | ガラス等の非晶質絶縁基板上でGe結晶薄膜の方位制御を可能とする「Al誘起成長法」について紹介する。我々は、Al誘起成長Ge層の結晶性に大きく影響を与える重要成長パラメータを明らかにすると共に、これらを適正化することで、(111)面配向率が99%に及ぶ大粒径(~100 µm)Ge層(50 nm厚)をSiO2基板上に形成した。さらに、成長機構を基にAlとGeの反応を促進することで、(111)面方位に優先配向した多結晶Ge層を180 °Cもの低温で形成した。安価なプラスチックを基材としたフレキシブルデバイスへの応用が期待される。 |
| （英） | We introduce Al-induced crystallization (AIC), a unique technique controlling the crystal orientation of polycrystalline Ge thin films on amorphous insulating substrates. The crystal quality of the Al-induced crystallized Ge layer is very sensitive to the growth parameters (e.g. thickness). By optimizing these parameters, we fabricated a 99% (111)-oriented Ge layer (50 nm) with large grains (~100 µm) on a SiO2 substrate. Moreover, we promoted the reaction between Al and Ge based on the growth mechanism, and then achieved a (111)-oriented Ge layer at as low as 180 ºC. This achievement holds promise for fabricating Ge-based flexible devices on inexpensive plastic substrates. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / 薄膜 / 金属誘起成長 / 結晶方位制御 / 低温成長 / / / |
| （英） | Germanium / Thin film / Metal-induced crystallization / Crystal orientation control / low-temperature crystallization / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 1, SDM2014-6, pp. 27-29, 2014年4月. | |
| 資料番号 | SDM2014-6 | |
| 発行日 | 2014-04-03 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-6 OME2014-6 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2014-04-10 - 2014-04-11 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 非晶質絶縁体上における大粒径Ge(111)薄膜のAl誘起低温成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Al-induced low-temperature crystallization for large-grained Ge(111) thin films on amorphous insulators |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜 / Thin film |
| キーワード(3)（和/英） | 金属誘起成長 / Metal-induced crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶方位制御 / Crystal orientation control |
| キーワード(5)（和/英） | 低温成長 / low-temperature crystallization |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 都甲 薫 / Kaoru Toko / トコウ カオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末益 崇 / Takashi Suemasu / スエマス タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-04-10 15:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-6, OME2014-6 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.27-29 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2014-04-03 (SDM, OME) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]