講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-04-18 09:50
プラズマ励起原子層堆積法による室温酸化ハフニウム成膜 ○鹿又健作・大場尚志・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・平原和弘・廣瀬文彦(山形大) ED2014-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-13 |
抄録 |
(和) |
我々はtetrakis(ethylmethylamino)hafnium(TEMAH)とプラズマ励起水蒸気を用いたハフニウム酸化膜の室温原子層堆積法を開発した。プラズマ励起水蒸気は酸化ハフニウム表面に吸着したTEMAHを効果的に酸化すると同時にTEMAHの吸着サイトとなるOH基を室温で成長表面上に形成する。本方法では、ハフニウム酸化膜の成長速度は室温において0.26 nm/cycleと測定された。またハフニウム酸化膜の室温原子層堆積における反応素過程を多重内部反射赤外吸収分光法(MIR-IRAS)によって評価し、ハフニウム酸化膜の室温原子層堆積プロセスの設計のために有用な知見が得られたので報告する。 |
(英) |
Room-temperature atomic layer deposition (ALD) of hafnium dioxide is developed using tetrakis(ethylmethylamino)hafnium (TEMAH) and plasma-excited water vapor generated from a remote plasma source. The plasma-excited water vapor is effective in oxidizing the TEMAH-adsorbed HfO2 surface while leaving OH sites on the growing surface at room temperature for further TEMAH adsorption. The growth rate is measured to be 0.26 nm/cycle at room temperature. The TEMAH adsorption and its oxidation on HfO2 were investigated by multiple-internal-refraction infrared absorption spectroscopy (MIR-IRAS). We report adsorption and desorption data in order to design HfO2-ALD at room temperature. |
キーワード |
(和) |
原子層堆積 / テトラエチルメチルアミノハフニウム / プラズマ励起水蒸気 / 赤外吸収分光法 / / / / |
(英) |
ALD / TEMAH / Plasma-excited H2O / MIR-IRAS / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 12, ED2014-13, pp. 51-54, 2014年4月. |
資料番号 |
ED2014-13 |
発行日 |
2014-04-10 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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