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| 講演名 | 2014-04-18 09:55 ［依頼講演］Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・水谷朋子・平本俊郎（東大）  ICD2014-11 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2014-11 |
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| 抄録 | （和） | 薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低電圧動作の実証について報告する。低バラツキとAdaptive Back Bias(ABB)技術の利用により、動作温度に寄らず0.4V以下の動作を実証した。また、ABB技術により、スタンバイ状態のVTHを高く、アクティブ状態のVTHを低く設定することにより、高速動作と低スタンバイーリークを実現した |
| （英） | We demonstrated record 0.37V minimum operation voltage (VMIN) of 2Mb Silicon-on-Thin-Buried-oxide (SOTB) 6T-SRAM. Thanks to the small variability of SOTB (AVT~1.3 mVμm) and adaptive back biasing (ABB), VMIN was lowered down to ~0.4 V regardless of temperature. Both fast access time and small standby leakage were achieved by ABB. | |
| キーワード | （和） | 薄膜BOX / SOI / SRAM / 超低電圧動作 / Adaptive Back Bias技術 / 低スタンバイーリーク / / |
| （英） | Silicon-on-Thin-Buried-oxide (SOTB) / SRAM / Low Voltage Operation / Low Standby Leakage / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 13, ICD2014-11, pp. 53-57, 2014年4月. | |
| 資料番号 | ICD2014-11 | |
| 発行日 | 2014-04-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2014-11 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2014-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2014-04-17 - 2014-04-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2014-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultralow-Voltage Operation of Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) 2Mbit SRAM Down to 0.37 V Utilizing Adaptive Back Bias |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜BOX / Silicon-on-Thin-Buried-oxide (SOTB) |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SRAM |
| キーワード(3)（和/英） | SRAM / Low Voltage Operation |
| キーワード(4)（和/英） | 超低電圧動作 / Low Standby Leakage |
| キーワード(5)（和/英） | Adaptive Back Bias技術 / |
| キーワード(6)（和/英） | 低スタンバイーリーク / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita / ヤマシタ トモヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾田 秀一 / Hidekazu Oda / オダ ヒデカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： UTokyo) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-04-18 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2014-11 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.13 |
| ページ範囲 | pp.53-57 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-04-10 (ICD) |
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