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| 講演名 | 2014-04-18 13:50 ［招待講演］10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術 ○昌原明植・遠藤和彦・大内真一・松川 貴・柳 永勛・右田真司・水林 亘・森田行則・太田裕之（産総研）  ICD2014-15 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2014-15 |
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| 抄録 | （和） | 20nm技術世代以降の集積回路における最大の課題は，トランジスタ微細化に伴う待機時消費電力の増大と，顕在化する特性ばらつきを如何に抑え込むか，である．FinFETを代表とする立体チャネルマルチゲートトランジスタは，それら双方の課題を解決し得る素子として注目を浴びている．本稿では，10nm以降の技術世代での集積回路実現に向け開発された新規なFinFETデバイス技術と回路技術について論じる． |
| （英） | One of the biggest challenges for the VLSI circuits with 20-nm-technology nodes and beyond is to overcome the issue of a catastrophic increase in power dissipation of the circuit due to the short channel effects (SCEs) and electrical characteristic variability. Fortunately, double-gate FinFETs have a promising potential to overcome this issue due to their superior SCE immunity even with an undoped channel thanks to the 3D structure. This paper presents advanced FinFET device and circuit technologies for 10 nm node and beyond. | |
| キーワード | （和） | FinFET / ばらつき / 非晶質金属ゲート / SRAM / 独立ダブルゲート / / / |
| （英） | FinFET / Variability / Amorphous Metal Gate / SRAM / Independent Double Gate / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 13, ICD2014-15, pp. 77-82, 2014年4月. | |
| 資料番号 | ICD2014-15 | |
| 発行日 | 2014-04-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2014-15 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2014-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2014-04-17 - 2014-04-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2014-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Multigate FinFET Device and Circuit Technology for 10nm and Beyond |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(2)（和/英） | ばらつき / Variability |
| キーワード(3)（和/英） | 非晶質金属ゲート / Amorphous Metal Gate |
| キーワード(4)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(5)（和/英） | 独立ダブルゲート / Independent Double Gate |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 昌原 明植 / Meishoku Masahara / マサハラ メイショク |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 和彦 / Kazuhiko Endo / エンドウ カズヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大内 真一 / Shin-ichi Ouchi / オオウチ シンイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松川 貴 / Takashi Matsukawa / マツカワ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳 永勛 / Yongxun Liu / リウ ヨンシュン |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水林 亘 / Wataru Mizubayashi / ミズバヤシ ワタル |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 行則 / Yukinori Morita / モリタ ユキノリ |
| 第8著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-04-18 13:50:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2014-15 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.13 |
| ページ範囲 | pp.77-82 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-04-10 (ICD) |
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