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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-05-28 10:50 GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性 ○石原耕史・近藤保成・松原大幸・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）  ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 |
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| 抄録 | （和） | GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩和過程は詳しく検討されているが、GaInN中へのミスフィット転位導入の臨界膜厚の貫通転位密度依存性に関しては詳細な報告例がない。本研究では、サファイア基板上に低温バッファ層を介して成長したGaNとGaN基板上にGaInNヘテロ接合を形成し、その緩和過程をその場観察X線法、XRD、CL、走査電子顕微鏡、透過電子顕微鏡、AFM等を駆使して比較検討した。その結果、サファイア基板上のGaInN/GaNと比較して、貫通転位密度が低いGaN基板上GaInN中へのミスフィット転位導入の臨界膜厚の方が小さいことが分かった。 |
| （英） | In this study, we investigated the critical thickness in GaInN/GaN heterostructure system as function of dislocation density in underlying GaN layer by in situ XRD measurement. As a result, critical thickness of misfit dislocation introducing in GaInN was significant depends on the dislocation density in the GaN underlying layer. | |
| キーワード | （和） | GaInN/GaN / 貫通転位密度 / 緩和過程 / その場観察X線法 / / / / |
| （英） | GaInN/GaN / dislocation density / strain relaxation / in situ XRD / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 57, CPM2014-1, pp. 1-6, 2014年5月. | |
| 資料番号 | CPM2014-1 | |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2014-05-28 - 2014-05-29 |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBL3階 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2014-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dislocation density dependence of strain relaxation in GaInN/GaN heterostructure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInN/GaN / GaInN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 貫通転位密度 / dislocation density |
| キーワード(3)（和/英） | 緩和過程 / strain relaxation |
| キーワード(4)（和/英） | その場観察X線法 / in situ XRD |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石原 耕史 / Koji Ishihara / イシハラ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 保成 / Yasunari Kondo / コンドウ ヤスナリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松原 大幸 / Hiroyuki Matsubara / マツバラ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学/名古屋大学 (略称： 名城大/名大) Meijo University/Nagoya University (略称： Meijo Univ./Nagoya Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-05-28 10:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2014-18, CPM2014-1, SDM2014-16 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
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