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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-05-29 13:20 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位 ○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大）  ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36 |
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| 抄録 | （和） | 超高耐圧SiCバイポーラデバイスの実現にはキャリアライフタイムの制御が必要とされ、深い準位の理解が必要不可欠である。p型4H-SiC中の深い準位の報告は少なく、特に価電子帯付近の深い準位についての報告はほとんどなされていない。本研究では、異なるAlドーピング濃度を有する複数のp型4H-SiCエピ膜に対して電流Deep Level Transient Spectroscopy測定を行い、深い準位を評価した。その結果、過去に報告のない価電子帯近傍の深い準位が観測された。 |
| （英） | Understanding of the deep level is essential to control the carrier lifetime for ultrahigh-voltage SiC bipolar devices. The deep levels in p-type 4H-SiC, especially those located near the valence band edge, have been rarely reported, In this study, we measured the deep levels for p-type 4H-SiC with various Al-doping concentrations by using current deep level transient spectroscopy (I-DLTS). As the result, we observed some peaks which have never been reported. Keyword p-type 4H-SiC, deep levels, I-DLTS |
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| キーワード | （和） | p型4H-SiC / 深い準位 / 電流DLTS / / / / / |
| （英） | p-type 4H-SiC / deep levels / I-DLTS / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-38, pp. 101-104, 2014年5月. | |
| 資料番号 | ED2014-38 | |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2014-05-28 - 2014-05-29 |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBL3階 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deep levels near the valence band in p-type 4H-SiC epilayers with various Al concentrations |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | p型4H-SiC / p-type 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 深い準位 / deep levels |
| キーワード(3)（和/英） | 電流DLTS / I-DLTS |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中根 浩貴 / Hiroki Nakane / ナカネ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-05-29 13:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-38, CPM2014-21, SDM2014-36 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) |
| ページ範囲 | pp.101-104 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
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