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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-05-29 10:55 絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETのヒステリシス特性の評価と解析 ○黒田亮太・殷 翔・佐藤将来・葛西誠也（北大）  ED2014-36 CPM2014-19 SDM2014-34 |
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| 抄録 | （和） | SiNおよびAl2O3をゲート絶縁膜として絶縁ゲート型GaAsエッチングナノワイヤFETのヒステリシス特性とダイナミック信号に対する応答の評価解析を行った．いずれの素子もヒステリシス特性を示したが，Al2O3ゲート素子ではゲートバイアスに白色ガウス雑音を重畳すると顕著な平均ドレイン電流分散が観測された．その特徴はしきい値電圧を変えずに電流が減少する特異なものであり，SiNゲート素子では観測されなかった．離散的なドレイン電流状態間の遷移のもとでの電流期待値によって実験結果の解釈を試みた． |
| （英） | We fabricate SiN- and Al2O3-gate GaAs etched nanowire FETs, characterized dynamic hysteresis properties in their transfer characteristics, and analyzed. Both devices show clear hysteresis characteristics, however the Al2O3-gate device exhibits large dispersion of the average current when white Gaussian noise is superimposed to gate bias. In this dispersion, the drain current decreases as the noise intensity increases, without changing threshold voltages, which is not seen in the SiN-gate device. We explain the observed behavior by current expected value under transition between the discrete current states. | |
| キーワード | （和） | ナノワイヤFET / ヒステリシス特性 / 電流分散 / 絶縁ゲート / GaAs / SiN / Al2O3 / |
| （英） | Nanowire FET / Hysteresis / Current dispersion / Insulated gate / GaAs / SiN / Al2O3 / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-36, pp. 91-96, 2014年5月. | |
| 資料番号 | ED2014-36 | |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-36 CPM2014-19 SDM2014-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2014-05-28 - 2014-05-29 |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBL3階 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETのヒステリシス特性の評価と解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization and analysis of hysteresis properties in insulated-gate GaAs-based nanowire FETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤFET / Nanowire FET |
| キーワード(2)（和/英） | ヒステリシス特性 / Hysteresis |
| キーワード(3)（和/英） | 電流分散 / Current dispersion |
| キーワード(4)（和/英） | 絶縁ゲート / Insulated gate |
| キーワード(5)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(6)（和/英） | SiN / SiN |
| キーワード(7)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 亮太 / Ryota Kuroda / クロダ リョウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 殷 翔 / Xiang Yin / イン ショウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 将来 / Masaki Sato / サトウ マサキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛西 誠也 / Seiya Kasai / カサイ セイヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-05-29 10:55:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-36, CPM2014-19, SDM2014-34 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) |
| ページ範囲 | pp.91-96 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
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