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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-05-29 14:00 P - GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications ○Zheng Sun・Marc Olsson（Nagoya Univ.）・Tsutomu Nagayama（Nissin Ion Equipment）・Yoshio Honda・Hiroshi Amano（Nagoya Univ.）  ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | We realized p-GaN by high temperature Mg ion implantation with pre-sputter(PS) technique. Due to the new PS technique and high temperature implantation, ion implantation damage was greatly reduced. It made the post anneal more effectively to recover the implantation damage and active the implanted Mg ions. We believe this p-GaN by Mg ion implantation will contribute to GaN to enter high output power device application field. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | P-GaN / ion implantation / pre-sputter / power device / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-40, pp. 109-112, 2014年5月. | |
| 資料番号 | ED2014-40 | |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2014-05-28 - 2014-05-29 |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBL3階 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | P - GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / P-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | / ion implantation |
| キーワード(3)（和/英） | / pre-sputter |
| キーワード(4)（和/英） | / power device |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 孫 政 / Zheng Sun / ソン セイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Marc Olsson / Marc Olsson / マーク オルソン |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永山 勉 / Tsutomu Nagayama / ナガヤマ ツトム |
| 第3著者 所属（和/英） | 日新イオン機器株式会社 (略称： 日新イオン機器) Nissin Ion Equipment Co., Ltd. (略称： Nissin Ion Equipment) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-05-29 14:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-40, CPM2014-23, SDM2014-38 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) |
| ページ範囲 | pp.109-112 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
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