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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-06-19 11:05 Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御 ○浅野孝典（名大）・田岡紀之（IHP Microelectronics）・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2014-47 |
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| 抄録 | （和） | 立体ゲート構造を有するGe MOS型トランジスタに向けて、Ge(110)表面を有するGeまたはGe1－xSnx薄膜が注目されている。(110)面上に高品質な薄膜を形成するためには、膜中の双晶または積層欠陥（SF）の抑制が重要である。我々はSFの形態と歪量との関係を弾性論に基づいて理解することで、膜中のSn組成増大により、SFの幅を減少できることを見出した。また、歪量の小さい場合には、成長温度の増大によって欠陥形成を抑制できることがわかった。以上より、Sn組成と成長温度の制御によって、幅広いSn組成におけるGe1－xSnx薄膜中の欠陥を制御できることが実証された。 |
| （英） | Ge or Ge1－xSnx layer with (110) surface has attracted much attentions for Ge multi-gate MOS transistors. For forming a high-quality layer on Ge(110), it is important to suppress the formation of twin or stacking fault (SF). We found that the SF width can be decreased by increasing the Sn content based on understanding the relationship between the defect morphologies and the Sn content. We also found that the defects in Ge1－xSnx with a small Sn content are suppressed by increasing the growth temperature. We demonstrate that defects in Ge and Ge1－xSnx layers can be controlled by the growth temperature and Sn content. | |
| キーワード | （和） | Ge1-xSnx / エピタキシャル成長 / 積層欠陥 / 歪み / / / / |
| （英） | Ge1-xSnx / epitaxial growth / stacking fault / strain / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-47, pp. 21-25, 2014年6月. | |
| 資料番号 | SDM2014-47 | |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-06-19 - 2014-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of Stacking Fault Structures in Ge1-xSnx Epitaxial Growth |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge1-xSnx / Ge1-xSnx |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） | 積層欠陥 / stacking fault |
| キーワード(4)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅野 孝典 / Takanori Asano / アサノ タカノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | Innovations for High Performance Microelectronics (略称： IHP Microelectronics) Innovations for High Performance Microelectronics (略称： IHP Microelectronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-06-19 11:05:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-47 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.88 |
| ページ範囲 | pp.21-25 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) |
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