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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-06-19 13:45 第一原理計算を用いたSi-rich SiO2への水素・窒素原子の混入による影響の原子論的考察 ○白川裕規・山口慶太（筑波大）・神谷克政（神奈川工科大）・白石賢二（名大）  SDM2014-52 |
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| 抄録 | （和） | MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor ) 型メモリは、堅牢な電荷保持特性、高密度化が可能、多値化に適する、３次元化が容易という特徴を持ち、次世代NAND フラッシュメモリとして期待されている。書込/消去動作は絶縁膜を介して、電荷トラップ層の原子欠陥へ電荷を注入/除去することにより行われる。MONOS型メモリの電荷トラップ欠陥としてSiN層については、山口らが水素原子、窒素原子、 酸素原子に関連する欠陥について考察しており、書込/消去サイクルにおいて、可逆な構造変化を示すSi-rich-SiNが高い書込/消去耐性をもち、フラッシュメモリに適していると報告している。しかし、Si$O_2$側の原子欠陥に対する書込/消去時のメカニズムは十分に検討されていない。本研究ではSi-rich Si$O_2$中の窒素・水素原子欠陥が書込/消去時にどのような振る舞いをするのかを第一原理計算を用いて原子論的に考察した。 |
| （英） | Charge trapping memories such as the MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor) type memories naturally have the characteristic for making the MLC (Multi Level Cell), 3D-structure, and high￢-density integration. About charge trapping layers in MONOS type memories, it has been reported that many O and N atoms are incorporated and electron occupied defects are confirmed near Si$O_2$/SiN interfaces. Yamaguchi et al. reported the atomistic mechanism during Program/Erase (P/E) cycle in SiN layer. However, atomistic behavior of defects in Si$O_2$ layer during P/E cycle is not elucidated. Thus, we investigate N and H incorporation effects in Si-rich Si$O_2$ by using first principle calculation. | |
| キーワード | （和） | MONOS / 電荷トラップメモリ / SiO2 / / / / / |
| （英） | MONOS / charge trapping memory / SiO2 / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-52, pp. 49-53, 2014年6月. | |
| 資料番号 | SDM2014-52 | |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-52 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-06-19 - 2014-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 第一原理計算を用いたSi-rich SiO2への水素・窒素原子の混入による影響の原子論的考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomistic study of Nitrogen and Hydrogen incorporation effect in Si-rich SiO2 |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MONOS / MONOS |
| キーワード(2)（和/英） | 電荷トラップメモリ / charge trapping memory |
| キーワード(3)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白川 裕規 / Hiroki Shirakawa / シラカ ワヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 慶太 / Keita Yamaguchi / ヤマグチ ケイタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神谷 克政 / Katsumasa Kamiya / カミヤ カツマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学 (略称： 神奈川工科大) Kanagawa Institute of Technology (略称： KAIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-06-19 13:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-52 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.88 |
| ページ範囲 | pp.49-53 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) |
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