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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-06-20 15:00 溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 ～ 中間層挿入と熱処理 ～ ○寺迫智昭・村上聡宏・兵頭 篤・白方 祥（愛媛大）  EMD2014-19 CPM2014-39 OME2014-27 |
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| 抄録 | （和） | 溶液成長(CBD)法によるn-ZnO/p-CuOヘテロ接合形成時にディップコーティング法ZnO(Dip-coating ZnO)層を挿入することでリーク電流が抑制された. n-ZnO/Dip-coating ZnO/p-CuOヘテロ接合のJ-V特性から求めた閾値電圧(Vth)と理想因子(n)及びC-V特性より求めた拡散電位(Vbi)はCuO層ポストアニーリング温度(TA)によって変化し, TA=250 ℃付近で最小であった. 一方, IF/IR(IFは順方向電流, IRは逆方向電流)はTA=225 ℃以上で低いことから, Vth及びVbiの低下はヘテロ界面に形成された界面準位を介したトンネル電流によるものと考えられる. |
| （英） | Electrical properties of n-ZnO/p-CuO heterojunctions prepared by chemical bath deposition were investigated. The insertion of intermediate layer, such as ZnO layer grown by dip-coating, was found to be effective for suppressing leakage current. For the ZnO/Dip-coating ZnO/CuO heterojunctions, the threshold voltage Vth and ideality factor n of the J–V curve and the built-in potential Vbi determined from the C–V curve had minima around the post-annealing temperature for CuO layer (TA) of 250 ℃. Relatively low IF/IR values (IF: forward current, IR: reverse current) at TAs higher than TA=225 ℃suggest the contribution of the tunnel current through the defect states to the reduction of the Vth and Vbi. | |
| キーワード | （和） | 溶液成長法 / ZnO / CuO / pnヘテロ接合 / / / / |
| （英） | Chemical bath deposition / ZnO / CuO / pn heterojunction / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 95, CPM2014-39, pp. 61-66, 2014年6月. | |
| 資料番号 | CPM2014-39 | |
| 発行日 | 2014-06-13 (EMD, CPM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2014-19 CPM2014-39 OME2014-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME EMD CPM |
| 開催期間 | 2014-06-20 - 2014-06-20 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 材料デバイスサマーミーティング |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2014-06-OME-EMD-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 |
| サブタイトル（和） | 中間層挿入と熱処理 |
| タイトル（英） | Improvement of Electrical Properties of n-ZnO/p-CuO Heterojunctions Prepared by Chemical Bath Deposition |
| サブタイトル（英） | Insertion of Intermediate Layer and Thermal Annealing |
| キーワード(1)（和/英） | 溶液成長法 / Chemical bath deposition |
| キーワード(2)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(3)（和/英） | CuO / CuO |
| キーワード(4)（和/英） | pnヘテロ接合 / pn heterojunction |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺迫 智昭 / Tomoaki Terasako / テラサコ トモアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 愛媛大学 (略称： 愛媛大) Ehime University (略称： Ehime Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 聡宏 / Toshihiro Murakami / ムラカミ トシヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 愛媛大学 (略称： 愛媛大) Ehime University (略称： Ehime Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 兵頭 篤 / Atsushi Hyouodou / ヒョウドウ アツシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 愛媛大学 (略称： 愛媛大) Ehime University (略称： Ehime Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白方 祥 / Sho Shirakata / シラカタ ショウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 愛媛大学 (略称： 愛媛大) Ehime University (略称： Ehime Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-06-20 15:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | EMD2014-19, CPM2014-39, OME2014-27 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.94(EMD), no.95(CPM), no.96(OME) |
| ページ範囲 | pp.61-66 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-06-13 (EMD, CPM, OME) |
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