講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-06-20 16:40
III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ ○一宮佑希・横山正史・竹中 充・高木信一(東大) OPE2014-21 LQE2014-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2014-21 LQE2014-26 |
抄録 |
(和) |
III-V CMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半導体層への強い光閉じ込めを実現し、またレーザーなどのアクティブデバイスとパッシブデバイス、さらにはCMOS回路とのモノリシック集積も可能にするプラットフォームである。今回、III-V CMOSフォトニクスを用いてキャリア注入型マッハツェンダー干渉計InGaAsP細線導波路光スイッチを作製した。屈折率変調部の長さは50 μmと小型でありながら、クロストークは-29 dBという値を得た。これは同様の構造のSi細線導波路光スイッチの限界値と比べ約10 dB小さい値であり、Siフォトニクスに対するIII-V CMOSフォトニクスの優位性を実証した。 |
(英) |
III-V CMOS photonics is a platform which enables strong optical confinement for the III-V waveguides by using III-V on insulator wafers fabricated by wafer bonding. III-V CMOS photonics also enables monolithic integration of high performance active photonic devices including lasers and modulators and photodetectors, passive photonic-wire waveguides, and CMOS curcuits. In this paper, we have demonstrated carrier-injection type Mach-Zehnder interferometer optical switches on III-V CMOS photonics platform. In spite of its short phase-shifter length of 50 μm, crosstalk was as low as -29 dB, which was about 10 dB better than the theoretical limit in Si optical switches. |
キーワード |
(和) |
光スイッチ / 光集積回路 / 基板貼り合わせ / クロストーク / III-V CMOSフォトニクス / / / |
(英) |
optical switches / Photonic integrated circuits / Wafer bonding / Crosstalk / III-V CMOS photonics / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 98, LQE2014-26, pp. 39-42, 2014年6月. |
資料番号 |
LQE2014-26 |
発行日 |
2014-06-13 (OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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