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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-01 14:20 III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析 ○矢島悠貴・大濱諒子・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）  ED2014-57 |
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| 抄録 | （和） | Si MOSFETの微細化限界が近づきつつある現在，微細化に依らない性能向上の実現のため，III-V族化合物半導体をチャネル材料に用いたIII-V MOSFETが検討されている．本研究では，量子補正モンテカルロシミュレーションを用いてIII-V DG MOSFETの遅延時間特性及びその発生メカニズムの解析を行った．その結果，遅延時間分布が運動量分布の変化，チャネル内における走行時間，運動量・エネルギー緩和に起因する3領域に分割できることを明らかにした．またInGaAs，InP，GaAsチャネルの特性比較を行った結果，InPチャネルのスイッチング特性が最も高いことがわかった． |
| （英） | III-V semiconductors have attracted much attention as promising n-type channel materials for the future logic device to enter the CMOS roadmap beyond Si, because of their higher carrier mobility and smaller effective mass than Si. In this study, we analysis the delay times in the nanoscale III-V DG MOSFETs by using the quantum-corrected Monte Carlo (QC-MC) simulation. From the results, it is revealed that the delay time distribution is divided into three areas, which are related to the change of the momentum distribution of the electrons, the electron transit time in the channel, the momentum and energy relaxation of the electrons, respectively. We also compare the delay times in the InGaAs, InP, and GaAs channels. The results show the superiority of the InP channel in the switching characteristics. | |
| キーワード | （和） | InGaAs / MOSFET / 遅延時間 / 量子補正モンテカルロ法 / / / / |
| （英） | InGaAs / GaAs / InP / Double Gate MOSFET / Delay Time / Quantum-Corrected Monte Carlo Method / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 168, ED2014-57, pp. 25-28, 2014年8月. | |
| 資料番号 | ED2014-57 | |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2014-08-01 - 2014-08-01 |
| 開催地（和） | 機械振興会館B3-1室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-1 |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Mechanisms of Delay Time Generation in III-V DG MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 遅延時間 / InP |
| キーワード(4)（和/英） | 量子補正モンテカルロ法 / Double Gate MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | / Delay Time |
| キーワード(6)（和/英） | / Quantum-Corrected Monte Carlo Method |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢島 悠貴 / Yuki Yajima / ヤジマ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大濱 諒子 / Ryoko Ohama / リョウコ オオハマ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤川 紗千恵 / Sachie Fujikawa / フジカワ サチエ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤代 博記 / Hiroki I. Fujishiro / フジシロ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-01 14:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-57 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.168 |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) |
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