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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-04 13:05 ［招待講演］急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策 ○森 貴洋・森田行則・右田真司・水林 亘・福田浩一・宮田典幸・安田哲二・昌原明植・太田裕之（産総研）  SDM2014-67 ICD2014-36 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-67 ICD2014-36 |
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| 抄録 | （和） | 低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最も有力な候補と考えられているトンネルトランジスタ(TFET)では、オン電流の向上が課題となっている。解決に向けての方策は、接合印加電界を増強する技術、もしくは高トンネル確率を実現する技術の2 つに大別できる。 |
| （英） | Steep slope devices (SSDs) have attracted because of the increase demand for low-power devices. This paper reviews recent research progress in SSDs. Tunnel field-effect transistor (TFET), which is the front runner in SSDs, has a problem in their ON current. There are two ways to enhance the ON current; one is by enhancing electric-field at the junction, and another is by realizing high tunneling probability. | |
| キーワード | （和） | 急峻スイッチング素子 / トンネルトランジスタ / 合成電界 / 等電子トラップ / / / / |
| （英） | Steep slope devices / tunnel field-effect transistor / synthetic electric field / isoelectronic trap / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 174, SDM2014-67, pp. 29-34, 2014年8月. | |
| 資料番号 | SDM2014-67 | |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-67 ICD2014-36 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-67 ICD2014-36 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2014-08-04 - 2014-08-05 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館（札幌市） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Research progress in steep slope devices and technologies to enhance ON current in TFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 急峻スイッチング素子 / Steep slope devices |
| キーワード(2)（和/英） | トンネルトランジスタ / tunnel field-effect transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 合成電界 / synthetic electric field |
| キーワード(4)（和/英） | 等電子トラップ / isoelectronic trap |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 行則 / Yukinori Morita / モリタ ユキノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水林 亘 / Wataru Mizubayashi / ミズバヤシ ワタル |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮田 典幸 / Noriyuki Miyata / ミヤタ ノリユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 哲二 / Tetsuji Yasuda / ヤスダ テツジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 昌原 明植 / Meishoku Masahara / マサハラ メイショク |
| 第8著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-04 13:05:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-67, ICD2014-36 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.174(SDM), no.175(ICD) |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) |
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