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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-05 09:00 ［招待講演］しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作 ○平本俊郎・上田晃頌・鄭 承旻・水谷朋子・更屋拓哉（東大）  SDM2014-71 ICD2014-40 |
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| 抄録 | （和） | 0.1Vという超低電圧で動作するVth自己調整MOSFETを提案した．このデバイスでは，オン時にVthが低下し，オフ時にVthが上昇するため，高いオン・オフ比と安定なSRAMセル動作が得られる．提案デバイスはフローティングゲートを持ち，このフローティングゲートに電荷が注入あるいはフローティングゲートから電荷が放出されることによりVthが自己調整される．0.1VにおいてnFETおよびpFETのVth自己調整機能を実験により確認した．さらにVth自己整合nFETとpFETからなる6T SRAMセルにおいて，Vth自己調整機能による0.1Vでの安定動作を実証した． |
| （英） | A new Vth self-adjusting MOSFET operating at 0.1V is proposed, where Vth automatically decreases at on-state and increases at off-state, resulting in high Ion/Ioff ratio as well as stable SRAM operation at low Vdd. The device has a floating gate. The charges are injected into and from the floating gate, and Vth is self-adjusted. The Vth self-adjustment of nFETs and pFETs at 0.1V and the minimum operation voltage in 6T SRAM cell at 0.1V are experimentally demonstrated. | |
| キーワード | （和） | フローティングゲート / サブスレッショルド動作 / SRAMノイズマージン / 100mV動作 / / / / |
| （英） | Floating Gate / Subthreshold operation / SRAM noise margin / 100mV operation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 174, SDM2014-71, pp. 51-54, 2014年8月. | |
| 資料番号 | SDM2014-71 | |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-71 ICD2014-40 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2014-08-04 - 2014-08-05 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館（札幌市） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra-Low Voltage (0.1V) Operation of Threshold Voltage Self-Adjusting MOSFET and SRAM Cell |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フローティングゲート / Floating Gate |
| キーワード(2)（和/英） | サブスレッショルド動作 / Subthreshold operation |
| キーワード(3)（和/英） | SRAMノイズマージン / SRAM noise margin |
| キーワード(4)（和/英） | 100mV動作 / 100mV operation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 晃頌 / Akitsugu Ueda / ウエダ アキツグ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鄭 承旻 / Seung-Min Jung / Seung-Min Jung |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-05 09:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-71, ICD2014-40 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.174(SDM), no.175(ICD) |
| ページ範囲 | pp.51-54 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) |
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