講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-08-05 09:00
[招待講演]しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作 ○平本俊郎・上田晃頌・鄭 承旻・水谷朋子・更屋拓哉(東大) SDM2014-71 ICD2014-40 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-71 ICD2014-40 |
抄録 |
(和) |
0.1Vという超低電圧で動作するVth自己調整MOSFETを提案した.このデバイスでは,オン時にVthが低下し,オフ時にVthが上昇するため,高いオン・オフ比と安定なSRAMセル動作が得られる.提案デバイスはフローティングゲートを持ち,このフローティングゲートに電荷が注入あるいはフローティングゲートから電荷が放出されることによりVthが自己調整される.0.1VにおいてnFETおよびpFETのVth自己調整機能を実験により確認した.さらにVth自己整合nFETとpFETからなる6T SRAMセルにおいて,Vth自己調整機能による0.1Vでの安定動作を実証した. |
(英) |
A new Vth self-adjusting MOSFET operating at 0.1V is proposed, where Vth automatically decreases at on-state and increases at off-state, resulting in high Ion/Ioff ratio as well as stable SRAM operation at low Vdd. The device has a floating gate. The charges are injected into and from the floating gate, and Vth is self-adjusted. The Vth self-adjustment of nFETs and pFETs at 0.1V and the minimum operation voltage in 6T SRAM cell at 0.1V are experimentally demonstrated. |
キーワード |
(和) |
フローティングゲート / サブスレッショルド動作 / SRAMノイズマージン / 100mV動作 / / / / |
(英) |
Floating Gate / Subthreshold operation / SRAM noise margin / 100mV operation / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 174, SDM2014-71, pp. 51-54, 2014年8月. |
資料番号 |
SDM2014-71 |
発行日 |
2014-07-28 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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