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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-21 11:15 シリコン酸化膜上の横注入DFBレーザ ○松尾慎治・藤井拓郎・長谷部浩一・武田浩司・佐藤具就・硴塚孝明（NTT）  R2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29 |
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| 抄録 | （和） | 埋込みヘテロ構造と上下を低屈折率材料で挟まれた二次元薄膜構造（メンブレン構造）を持つ半導体レーザは、効率的なキャリアと光の閉じ込めにより低バイアス電流で高速な直接変調の実現が期待される。このため、データコムやコンピュータコムのような直接変調レーザに低消費エネルギー動作が求められる用途に適している。このような背景から、我々はデータコムに向けてシリコン熱酸化膜上の短共振器DFBレーザの検討を行っている。将来的にシリコン基板を用いた大口径プロセスを適用するため直接接合を用いてIII-V族活性層薄膜を熱酸化膜付シリコン基板に接合した後にInP層による埋め込みを行った。作製したDFBレーザはしきい値電流1.8 mAで室温連続発振することを確認した。また、直接変調動作においては、バイアス電流8 mAで25.8-Gbit/s NRZ信号の明瞭なアイ開口を確認した。 |
| （英） | Membrane lasers with buried heterostructure are expected to obtain extremely small operating energy because of the enhancement of optical and carrier confinements. Therefore, these lasers are suitable for use the light sources in datacom and computercom applications. In this context, we have developed DFB laser on SiO2/Si substrate for datacom application by combining direct bonding and regrowth techniques. The DFB laser exhibits a threshold current of 1.8 mA and clear eye-opening with 25.8-Gbit/s NRZ signal when the bias current is 8.0 mA. | |
| キーワード | （和） | DFBレーザ / オンシリコンレーザ / 横型pin接合 / / / / / |
| （英） | DFB laser / laser on Si / lateral pin junction / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 187, LQE2014-29, pp. 13-16, 2014年8月. | |
| 資料番号 | LQE2014-29 | |
| 発行日 | 2014-08-14 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD LQE OPE CPM R |
| 開催期間 | 2014-08-21 - 2014-08-22 |
| 開催地（和） | 小樽経済センター |
| 開催地（英） | Otaru Economy Center |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-08-EMD-LQE-OPE-CPM-R |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコン酸化膜上の横注入DFBレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral current injection DFB laser on Si/SiO2 substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DFBレーザ / DFB laser |
| キーワード(2)（和/英） | オンシリコンレーザ / laser on Si |
| キーワード(3)（和/英） | 横型pin接合 / lateral pin junction |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo / マツオ シンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 拓郎 / Takuro Fujii / フジイ タクロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷部 浩一 / Koichi Hasebe / ハセベ コウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 浩司 / Koji Takeda / タケダ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 具就 / Tomonari Sato / サトウ トモナリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 硴塚 孝明 / Takaaki Kakitsuka / カキツカ タカアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-21 11:15:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | R2014-25, EMD2014-30, CPM2014-45, OPE2014-55, LQE2014-29 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.183(R), no.184(EMD), no.185(CPM), no.186(OPE), no.187(LQE) |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-08-14 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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