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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-22 11:10 発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現 ○冬木琢真・吉田憲司・吉岡 諒・吉本昌広（京都工繊大）  R2014-40 EMD2014-45 CPM2014-60 OPE2014-70 LQE2014-44 |
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| 抄録 | （和） | 半導体半金属混晶GaAs1-xBixは，Bi混入によって禁制帯幅(Eg)の減少や，Egの低い温度依存性を示し，発振波長が温度に依存しない光通信用半導体レーザの実現が期待される。分子線エピタキシャル(MBE)法を用いて，GaAs基板にコヒーレント成長する高品質な高Bi組成GaAs1-xBixを成長した。Bi組成9.5%のGaAs0.905Bi0.095薄膜から，室温において通信波長帯である1.3 umでのホトルミネセンス(PL)が得られ，かつ，発光強度の劣化は見られなかった。利得導波路型GaAs1-xBixレーザダイオード(LDs)を試作し，最大1045nmでの室温レーザ発振を実現した。GaAs LDの発振波長の温度依存係数0.37 nm/Kに対し，GaAs0.97Bi0.03 LDの温度依存係数は0.17nm/Kであった。活性層にGaAs1-xBixを適用することで，発振波長が低い温度依存性を有する半導体レーザを実現した。 |
| （英） | The coherent epitaxial growth GaAs1－xBix (x = 9.5%) films on GaAs substrate with high optical quality was achieved grown by molecular beam epitaxy. For GaAs0.905Bi0.095 film, photoluminescence (PL) at 1.3 um without PL intensity degradation was observed at room temperature. Lasing oscillation at wavelengths up to 1045 nm at room temperature has been realized from high quality GaAs1－xBix Fabry-Perot laser diodes (FP-LDs) by using electrical injection. The temperature coefficient of the lasing wavelength in GaAs0.97Bi0.03 FP-LDs is reduced to 0.17 nm/K, which is only 45% of that of GaAs FP-LDs. | |
| キーワード | （和） | GaAsBi / 半導体半金属混晶 / レーザダイオード / 分子線エピタキシー / / / / |
| （英） | GaAsBi / Semiconductor semimetal alloy / Laser diodes / MBE / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 187, LQE2014-44, pp. 87-90, 2014年8月. | |
| 資料番号 | LQE2014-44 | |
| 発行日 | 2014-08-14 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2014-40 EMD2014-45 CPM2014-60 OPE2014-70 LQE2014-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD LQE OPE CPM R |
| 開催期間 | 2014-08-21 - 2014-08-22 |
| 開催地（和） | 小樽経済センター |
| 開催地（英） | Otaru Economy Center |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-08-EMD-LQE-OPE-CPM-R |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realization of GaAs1-xBix laser diodes with low temperature dependence of oscillation wavelength |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAsBi / GaAsBi |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体半金属混晶 / Semiconductor semimetal alloy |
| キーワード(3)（和/英） | レーザダイオード / Laser diodes |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 琢真 / Takuma Fuyuki / フユキ タクマ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 憲司 / Kenji Yoshida / ヨシダ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 諒 / Ryo Yoshioka / ヨシオカ リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉本 昌広 / Masahiro Yoshimoto / ヨシモト マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-22 11:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | R2014-40, EMD2014-45, CPM2014-60, OPE2014-70, LQE2014-44 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.183(R), no.184(EMD), no.185(CPM), no.186(OPE), no.187(LQE) |
| ページ範囲 | pp.87-90 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-08-14 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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