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講演抄録/キーワード
講演名 2014-09-04 16:20
コンタクトエピタキシャル法によるCexY(3-x)Fe5O12の膜の方位制御
野毛 悟沼津高専CPM2014-81
抄録 (和) 本報告は下地基板の影響を抑えた結晶薄膜形成技術であるコンタクトエピタキシャル法について述べている.対象として磁気光学材料の一つであるセリウム置換イットリウム鉄ガーネットCexY(3-x)Fe5O12(Ce:YIG)の結晶薄膜の形成について検討中である.セリウム置換量をx=1.5とした場合の処理条件について実験を行い,熱処理条件などを調べた.セリウム置換量が増えた場合も,従来とほぼ同様に薄膜形成が行えることを確認できた.セリウム置換YIG(CexY(3-x)Fe5O12;Ce:YIG)のx=1.5の薄膜形成条件を検討した.今回の報告では,Ce1.5:YIGをターゲットとしてRFスパッタリング形成したアモルファス膜を出発サンプルとして,670℃の熱処理によって膜厚約200nmの薄膜を得た.条件の最適化については今後詳細に検討が必要であるが,本法の有効性が確認できた.今後,高配向な結晶面方位の制御条件について引き続き検討を行う. 
(英) his paper was described the contact epitaxial method that is the crystal thin-film formation technology in which the influence of the substrate was suppressed. The crystal thin film of cerium substitution yttrium iron Garnett CexY(3-x) Fe5O12 (Ce:YIG) that is one of the magneto-optics materials as an object. It experimented about the processing conditions at the amount of cerium substitution to x= 1.5, and investigated the heat treatment condition. In this report, the thin film of 200 nm was obtained by 670℃ heat treatment by making into a start sample the amorphous film which targeted Ce1.5:YIG and RF sputtering deposition.
キーワード (和) YIG / セリウム置換YIG / 単結晶薄膜 / エピタキシャル / 熱処理 / / /  
(英) YIG / Cerium Substituted YIG / Single Crystal Film / Epitaxial / Thermal Treatment / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 202, CPM2014-81, pp. 33-36, 2014年9月.
資料番号 CPM2014-81 
発行日 2014-08-28 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2014-81

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2014-09-04 - 2014-09-05 
開催地(和) 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 
開催地(英) The 100th Anniversary Hall, Yamagata University 
テーマ(和) 電子部品・材料、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2014-09-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) コンタクトエピタキシャル法によるCexY(3-x)Fe5O12の膜の方位制御 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Control of CexY(3-x)Fe5O12 Thin Film Orientation by Crystal Contact Epitaxy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) YIG / YIG  
キーワード(2)(和/英) セリウム置換YIG / Cerium Substituted YIG  
キーワード(3)(和/英) 単結晶薄膜 / Single Crystal Film  
キーワード(4)(和/英) エピタキシャル / Epitaxial  
キーワード(5)(和/英) 熱処理 / Thermal Treatment  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野毛 悟 / Satoru Noge / ノゲ サトル
第1著者 所属(和/英) 沼津工業高等専門学校 (略称: 沼津高専)
National Institute of Technolocy, Numazu College (略称: NumazuNIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-09-04 16:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2014-81 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.202 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数
発行日 2014-08-28 (CPM) 


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