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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-09-05 09:55 NEA半導体フォトカソードへの応用を目指したGaN系半導体の量子効率および耐久性の研究 ○佐藤大樹・西谷智博・前川拓也・本田善央・天野 浩（名大）  CPM2014-84 |
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| 抄録 | （和） | 負の電子親和力(Negative Electron Affinity: NEA)状態の表面を持つ半導体（NEA半導体フォトカソード）は、高性能電子ビーム源として素粒子実験分野に貢献してきたが、産業利用上、NEA表面の寿命問題を抱える。我々は、半導体のバンドギャップに着目し、NEA表面が得られた際の表面の電子親和力をより小さくすることでこの寿命問題の改善が可能であると考えた。そこで、NEA半導体フォトカソードに用いる半導体として、従来技術のp-GaAsに比べてバンドギャップの大きいp-GaN及びp-InGaNを作製した。作製したp-GaN及びp-InGaNサンプルによるNEA表面活性化実験では、セシウムの供給のみで表面のNEA状態が得られる可能性が示唆され、量子効率の寿命測定では、従来技術のp−GaAsに比べ、p−GaNで17倍、p−InGaNで7倍の長寿命化に成功した。 |
| （英） | The photocathode using Negative Electron Affinity (NEA) surface on a semiconductor has been applied for science technologies such as an elemental particle experiment as an electron beam source. Yet, since NEA-surface is fragile, it is necessary to figure out how to make its life time longer in order to develop new technologies. Then, we realized that considering the band gap in semiconductor, the life time becomes longer as the negative affinity goes even smaller. Therefore, we produced the photocathodes using GaN and InGaN that have wider band gaps than that of GaAs. As a result, using GaN and InGaN, we gained 17 times and 7 times longer life time NEA-surface than that of GaAs, respectively. On the other hand, the result indicates that we can produce the NEA-surface with only cesium. | |
| キーワード | （和） | GaN / InGaN / GaAs / フォトカソード / NEA / 電子ビーム源 / / |
| （英） | GaN / InGaN / GaAs / Photo-cathode / NEA / electron beam source / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 202, CPM2014-84, pp. 49-54, 2014年9月. | |
| 資料番号 | CPM2014-84 | |
| 発行日 | 2014-08-28 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2014-84 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2014-09-04 - 2014-09-05 |
| 開催地（和） | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 |
| 開催地（英） | The 100th Anniversary Hall, Yamagata University |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2014-09-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | NEA半導体フォトカソードへの応用を目指したGaN系半導体の量子効率および耐久性の研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum Efficiency and Life Time of GaN and InGaN with NEA-surface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | フォトカソード / Photo-cathode |
| キーワード(5)（和/英） | NEA / NEA |
| キーワード(6)（和/英） | 電子ビーム源 / electron beam source |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 大樹 / Daiki Sato / サトウ ダイキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西谷 智博 / Tomohiro Nishitani / ニシタニ トモヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前川 拓也 / Takuya Maekawa / マエカワ タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-09-05 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2014-84 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.202 |
| ページ範囲 | pp.49-54 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-08-28 (CPM) |
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