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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-10-16 16:00 Electrical characteristics of as-deposited HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering ○Nithi Atthi・Shun-ichiro Ohmi（TokyoTech）  SDM2014-87 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | In this paper, the electrical characteristics of as-deposited HfN high- gate insulator formed by electron-cyclotron-resonance (ECR) plasma sputtering were investigated to make the EOT small such as 0.5 nm or below. The sputtering conditions, particularly deposition gas pressure and sputtering power were optimized to prepare as-deposited HfN film with good electrical properties. It was found that the pre-sputtering process by using argon plasma has influences to the quality of HfN film. By using optimized gas pressure during sputtering of 0.20 Pa, corresponding to Ar/N2 gas flow ratio of 20/8 sccm, 3.6 nm-thick HfN film with maximum capacitance (@ 100 kHz) of 2.6 F/cm2 and small flat-band voltage shift were obtained even without annealing. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | as-deposited / ECR plasma sputtering / high-κ gate insulator / hafnium nitride / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 255, SDM2014-87, pp. 19-22, 2014年10月. | |
| 資料番号 | SDM2014-87 | |
| 発行日 | 2014-10-09 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-87 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-10-16 - 2014-10-17 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-10-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characteristics of as-deposited HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / as-deposited |
| キーワード(2)（和/英） | / ECR plasma sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | / high-κ gate insulator |
| キーワード(4)（和/英） | / hafnium nitride |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ニティ アッティ / Nithi Atthi / ニティ アッティ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： TokyoTech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： TokyoTech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-10-16 16:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-87 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.255 |
| ページ範囲 | pp.19-22 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-10-09 (SDM) |
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