講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-10-16 16:30
[招待講演]イメージセンサーデバイスにおけるイオン注入 ○川崎洋司・布施玄秀・佐野 信・大賀絵美・小池正純・渡邉一浩・杉谷道朗(SEN) SDM2014-88 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-88 |
抄録 |
(和) |
CMOSイメージセンサのためのイオン注入の方向性を議論した。要求されるより深い分布に対して、安定性の観点からビーム方向、結晶軸のゆらぎを実証した。イメージセンサで特に問題となる注入欠陥と金属汚染の影響に関して、前者にはビームの密度に依存することを示し、後者には各種ビームライン対策と静電フィルターの有効性と中性化のための高周波(RF)型電子シャワー装置が有効であることを提案した。 |
(英) |
Some trends of the implantation processing in device fabrication of CMOS image sensors are discussed. Firstly, the variations in beam direction and crystal axis are verified for repeatable dopant profile in ultra-high energy implantation. It is also demonstrated that crystal damage is dependent on the charge density in ion beam. Finally it is suggested that it is effective to utilize additional electrical energy filter and RF-PFG for significant reduction of metal contamination. |
キーワード |
(和) |
フォトダイオード / 高エネルギー注入 / 多段注入 / チャネリング / 角度精度 / フォトレジスト / ビーム走査 / 金属汚染 |
(英) |
photodiode / high energy implantation / chaining implantation / channeling / angle accuracy, / photoresist / beam scan / metal contamination |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 255, SDM2014-88, pp. 23-30, 2014年10月. |
資料番号 |
SDM2014-88 |
発行日 |
2014-10-09 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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