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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-10-17 11:10 MOCVD法によるGeおよびGe1-xSnxのエピタキシャル成長 ○須田耕平・石原聖也・木嶋隆浩・澤本直美（明大）・町田英明・石川真人・須藤 弘（気相成長）・大下祥雄（豊田工大）・小椋厚志（明大）  SDM2014-91 |
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| 抄録 | （和） | GeおよびGe1-xSnxは、高移動度トランジスタ、IV族光デバイス等への応用が期待されている。 我々は、t-C4H9GeH3と(C2H5)4Snとを用いたMOCVD法によるGeおよびGe1-xSnxのエピタキシャル成長を行った。 用いたMO原料はGeH4やSnH4と比べ発火性や爆発性などの点で非常に安全であり、本手法が確立した際には成膜プロセスの安全性は飛躍的に向上すると考える。 本報告では、基板温度等の各種成長条件におけるエピタキシャル膜の評価を行う。 |
| （英） | Ge and Ge1-xSnx are attractive materials for the next-generation transistors and optical devices. We achieved to grow Ge and Ge1-xSnx epitaxial films on Ge(001) substrates by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) using tertiary-butyl-germane (t-C4H9GeH3) and tetraethyl-tin [(C2H5)4Sn]. These precursors are much safer than GeH4 and SnH4. Thus, we believe that our techniques improve the safety in the deposition process. In this paper, we investigated Ge and Ge1-xSnx epitaxial films grown in the various deposition conditions. |
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| キーワード | （和） | Ge / GeSn / Ge1-xSnx / MOCVD / MOVPE / / / |
| （英） | Ge / GeSn / Ge1-xSnx / MOCVD / MOVPE / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 255, SDM2014-91, pp. 41-45, 2014年10月. | |
| 資料番号 | SDM2014-91 | |
| 発行日 | 2014-10-09 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-91 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-10-16 - 2014-10-17 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOCVD法によるGeおよびGe1-xSnxのエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth of Ge and Ge1-xSnx Films by MOCVD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | GeSn / GeSn |
| キーワード(3)（和/英） | Ge1-xSnx / Ge1-xSnx |
| キーワード(4)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 耕平 / Kohei Suda / スダ コウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石原 聖也 / Seiya Ishihara / イシハラ セイヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木嶋 隆浩 / Takahiro Kijima / キジマ タカヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤本 直美 / Naomi Sawamoto / サワモト ナオミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 町田 英明 / Hideaki Machida / マチダ ヒデアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 気相成長株式会社 (略称： 気相成長) Gas-phase Growth Ltd. (略称： Gas-phase Growth) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 真人 / Masato Ishikawa / イシカワ マサト |
| 第6著者 所属（和/英） | 気相成長株式会社 (略称： 気相成長) Gas-phase Growth Ltd. (略称： Gas-phase Growth) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須藤 弘 / Hiroshi Sudoh / スドウ ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 気相成長株式会社 (略称： 気相成長) Gas-phase Growth Ltd. (略称： Gas-phase Growth) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大下 祥雄 / Yoshio Oshita / オオシタ ヨシオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 豊田工業大学 (略称： 豊田工大) Toyota Technological Institute (略称： Toyota Technological Inst.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-10-17 11:10:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-91 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.255 |
| ページ範囲 | pp.41-45 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-10-09 (SDM) |
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