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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-10-24 16:20 成長室を用いた溶液成長法によるSnS堆積 山中雄貴・兼森遥平・○高野 泰・石田明広（静岡大）  CPM2014-110 |
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| 抄録 | （和） | 溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させている。溶液は、塩化スズ、アセン、トリ エタノールアミン、チオアセトアミド、アンモニア水を用いて作製した。ビーカー中にスライドガラスを投入する ことにより作製した。薄膜の堆積量の再現性が乏しいことから溶液の組成が重要であることに加えて別の要因がガ ラス上への堆積を支配しているように見える。通常の溶液成長法では、制御するパラメーターが温度と撹拌子の回 転速度のみである。そこでフローセル(成長室)を用いて溶液温度、基板温度、溶液の供給速度を制御できるように した。溶液を混合後の時間(反応時間)が一定になるようにした。SnSがガラス上に堆積できることが分かった。 |
| （英） | Tin sulfide has been deposited on glasses using chemical bath deposition. SnS glows on glasses in a beaker containing several solutions with SnCl22H2O,acetone, triethanolamine (TEA), thioacetamide (TA), and ammonia. Deposition thickness lacks of reproducibility, indicating that the parameters except a solution composition dominated film deposition. Solution changed with time in a beaker. We prepared a flow cell to control the residence time for reactants in a tube, the flow rate of the solution and the temperature of the solution. X-ray diffraction measurement revealed SnS depositon on a glass in the flow cell after a mixture of reactants. | |
| キーワード | （和） | SnS / 溶液成長法 / IV-VI族半導体 / フローセル / / / / |
| （英） | tinsulfide / chemical bath deposition / IV-VI compound semiconductor / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 276, CPM2014-110, pp. 29-32, 2014年10月. | |
| 資料番号 | CPM2014-110 | |
| 発行日 | 2014-10-17 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2014-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2014-10-24 - 2014-10-25 |
| 開催地（和） | 信州大学工学部 地域共同研究センター３階研修 キャンパスマップ17番 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2014-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 成長室を用いた溶液成長法によるSnS堆積 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical solution deposition of SnS in a flow cell |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SnS / tinsulfide |
| キーワード(2)（和/英） | 溶液成長法 / chemical bath deposition |
| キーワード(3)（和/英） | IV-VI族半導体 / IV-VI compound semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | フローセル / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 雄貴 / Yuuki Yamanaka / ヤマナカ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 兼森 遥平 / Yohei Kanemori / カネモリ ヨウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 泰 / Yasushi Takano / イシダ アキヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 明広 / Akihiro Ishida / |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ) |
| 講演者 | 第3著者 |
| 発表日時 | 2014-10-24 16:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2014-110 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.276 |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-10-17 (CPM) |
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