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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-10-25 09:40 3D及び2.5D-IC配線に適用可能な低温SiNx膜の特性 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大）  CPM2014-115 |
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| 抄録 | （和） | 微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。その一つに、3次元集積回路技術がある。近年、チップあるいはウェハ間を最短で配線するシリコン貫通ビア配線(Through Si Via: TSV)の実現により、急速に3次元LSIが発展してきた。そこで本研究では、TSVに欠かせない有用なSiNx膜を反応性スパッタ法とPECVD法にて低温で作製し、その特性を詳細に検討した。膜密度、屈折率、組成などのSiNx膜の特性を種々の成膜手法及び温度条件で検討した結果、従来経験的に知られていた事実とおおよそ一致する結果が得られたが、その要因はこれまでの定説とは若干異なっていた。特に、屈折率は膜中に含まれる酸素の含有量に比例し、膜密度はSi-N結合をいかに効率よく作れるかという点に依存しており、単純に膜組成に依存するものではないことが明らかとなった。 |
| （英） | 3-dimensional stacked LSI and/or 2.5-D IC is attracted much attention to solve the issues how to develop the integration density and/or functional variety of LSI without depending on the scaling down of the circuit size alone. Through-Si-Via (TSV) is an essential wiring technology to form a stack of chips or wafers in 3-D LSI. We examine the characterization of SiNx films deposited by reactive-sputtering and plasma-enhanced CVD at low temperatures under different conditions as an insulating barrier applicable to TSV. Features of prepared SiNx films, such as film density, refractive index, mainly depend on not composition in the SiNx films but the amount of Si-N chemical bond and oxygen content, respectively. It is revealed that the higher ratio of the Si-N bonds in the film is important factor for the film of high density. | |
| キーワード | （和） | ３次元LSI / シリコン貫通ビア配線 / SiNx膜 / 低温作製 / 反応性スパッタ / PECVD / / |
| （英） | 3D-LSI / Through Si via / SiNx film / low temperature process / reactive sputtering / PECVD / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 276, CPM2014-115, pp. 53-56, 2014年10月. | |
| 資料番号 | CPM2014-115 | |
| 発行日 | 2014-10-17 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2014-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2014-10-24 - 2014-10-25 |
| 開催地（和） | 信州大学工学部 地域共同研究センター３階研修 キャンパスマップ17番 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2014-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 3D及び2.5D-IC配線に適用可能な低温SiNx膜の特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of low-temperature deposited SiNx films applicable to 3D/2.5D-IC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ３次元LSI / 3D-LSI |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン貫通ビア配線 / Through Si via |
| キーワード(3)（和/英） | SiNx膜 / SiNx film |
| キーワード(4)（和/英） | 低温作製 / low temperature process |
| キーワード(5)（和/英） | 反応性スパッタ / reactive sputtering |
| キーワード(6)（和/英） | PECVD / PECVD |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 靖志 / Yasushi Kobayashi / コバヤシ ヤスシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称： FUJITSU LAB.LTD.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 義弘 / Yoshihiro Nakata / ナカタ ヨシヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称： FUJITSU LAB.LTD.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 友二 / Tomoji Nakamura / ナカムラ トモジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称： FUJITSU LAB.LTD.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野矢 厚 / Atsushi Noya / ノヤ アツシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-10-25 09:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2014-115 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.276 |
| ページ範囲 | pp.53-56 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-10-17 (CPM) |
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