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| 講演名 | 2014-11-27 11:25 MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 ○児玉和樹・Hasan Md Tanvir・野村裕之（福井大）・重川直輝（阪市大）・山本暠勇・葛原正明（福井大）  ED2014-75 CPM2014-132 LQE2014-103 |
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| 抄録 | （和） | 本論文では, AlN/Si(111), α-Al2O3(0001), GaN/α-Al2O3(0001)基板上に成長温度570~750℃でMOVPE成長したInGaN (In組成0.2～0.4)の相分離現象について検討した. 相分離はInGaN膜厚がある臨界値を越えると生じることを見出すとともに, この臨界膜厚がInGaN膜の成長温度の低下とともに顕著に増大することを見出した. 例えば, 成長温度750℃では臨界膜厚が0.2μmであるのに対し，成長温度570℃では～1μmである. 成長膜の断面SEM観察およびSIMS測定から, 相分離は基板界面近傍ではなく膜の中央もしくは表面側から発生すること, さらにその部分にはIn/Ga原子比の変動の大きい部分が存在することを明らかにした. |
| （英） | This paper reports phase separation in thick (~1 μm) MOVPE InxGa1-xN (x = 0.2~0.4) films grown by MOVPE at 570~750℃ on AlN/Si(111), α-Al2O3(0001), and GaN/α-Al2O3(0001) substrates. Phase separation occurs when InGaN thickness exceeds a critical value. Critical thickness of phase separation is markedly increased with decreasing growth temperature. It is around 0.2 μm for a film grown at 750℃, while it is more than 1μm for that grown at 570℃. No substrate dependencies are found in critical thickness. The cross-sectional SEM views of grown films show that phase separation is initiated at the middle part of an InGaN film and extended to the area near the substrate. SIMS analysis shows a possibility that phase separation is initiated at a part with a relatively large In/Ga ratio fluctuations in InGaN films. | |
| キーワード | （和） | InGaN / MOVPE / 相分離 / 臨界膜厚 / / / / |
| （英） | InGaN / MOVPE / phase separation / critical thickness / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-103, pp. 9-14, 2014年11月. | |
| 資料番号 | LQE2014-103 | |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-75 CPM2014-132 LQE2014-103 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2014-11-27 - 2014-11-28 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Critical thickness for phase separation in MOVPE-grown thick InGaN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 相分離 / phase separation |
| キーワード(4)（和/英） | 臨界膜厚 / critical thickness |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 児玉 和樹 / Kazuki Kodama / コダマ カズキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Hasan Md Tanvir / Tanvir Md Hasan / ハサン モハマド タンビル |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野村 裕之 / Hiroyuki Nomura / ノムラ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / シゲカワ ナオテル |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪市立大学 (略称： 阪市大) Osaka City University (略称： Osaka City Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 暠勇 / Akio Yamamoto / ヤマモト アキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-11-27 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2014-75, CPM2014-132, LQE2014-103 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) |
| ページ範囲 | pp.9-14 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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