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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-11-28 13:15 MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制 ○尾崎史朗・牧山剛三・多木俊裕・鎌田陽一・佐藤 優・新井田佳孝・岡本直哉・増田 哲・常信和清（富士通）  ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 |
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| 抄録 | （和） | ミリ波帯GaN高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor：HEMT)の課題である電流コラプスの抑制技術について発表する。本発表では、モノリシックマイクロ波集積回路(Monolithic Microwave Integrated Circuit：MMIC)に用いられる低誘電率層間絶縁膜(Low-k絶縁膜)に着目し、Low-k絶縁膜の吸湿が電流コラプスに与える影響を調査した。その結果、MMIC向けLow-k絶縁膜として従来から用いられているベンゾシクロブテン(benzocyclobutene：BCB)は耐湿性が低く、吸湿により電流コラプスが増加することを明らかにした。一方、今回新たに検討したメチルシルセスキオキサン(methyl silsesquioxane：MSQ)は、疎水性のメチル基を側鎖に有することから耐湿性が高く、MSQ をミリ波帯GaN-HEMTに適用することで、吸湿に起因した電流コラプスの抑制に成功した。 |
| （英） | We have investigated the effect of moisture on current collapse of GaN high electron mobility transistor (GaN-HEMT) when using low dielectric constant (low-k) insulator films to reduce the parasitic capacitance of millimeter-wave amplifier monolithic microwave integrated circuits (MMICs). We clarified that current collapse is caused by moisture uptake through the low-k films. Moreover, the moisture resistance of conventional carbon-based low-k films such as benzocyclobutene (BCB) are insufficient to suppress current collapse because of hydrophilic surface. Therefore, we propose methyl silsesquioxane (MSQ)-based low-k films to improve the moisture resistance by focusing on their hydrophobic property due to a large amount of methyl groups. Appling MSQ in GaN-HEMT, the moisture resistance of low-k films was improved, and current collapse due to humidification was successfully reduced. So, improving the moisture resistance with hydrophobic low-k films has a key role in reducing current collapse of GaN-HEMT. | |
| キーワード | （和） | GaN-HEMT / ミリ波 / 電流コラプス / Low-k絶縁膜 / MSQ / / / |
| （英） | GaN-HEMT / Millimeter-wave / Current collapse / Low-k insulator films / MSQ / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 336, ED2014-90, pp. 81-84, 2014年11月. | |
| 資料番号 | ED2014-90 | |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2014-11-27 - 2014-11-28 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression in Current Collapse of Millimeter-Wave GaN-HEMT Using MSQ-Based Low-k Insulator Films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN-HEMT / GaN-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | ミリ波 / Millimeter-wave |
| キーワード(3)（和/英） | 電流コラプス / Current collapse |
| キーワード(4)（和/英） | Low-k絶縁膜 / Low-k insulator films |
| キーワード(5)（和/英） | MSQ / MSQ |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾崎 史朗 / Shiro Ozaki / オザキ シロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki / |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌田 陽一 / Yoichi Kamada / |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 優 / Masaru Sato / |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新井田 佳孝 / Yoshitaka Niida / |
| 第6著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 直哉 / Naoya Okamoto / |
| 第7著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増田 哲 / Satoshi Masuda / |
| 第8著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 常信 和清 / Kazukiyo Joshin / |
| 第9著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-11-28 13:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-90, CPM2014-147, LQE2014-118 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) |
| ページ範囲 | pp.81-84 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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