講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-28 15:10
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 ○渡邉則之・満原 学・横山春喜(NTT)・梁 剣波・重川直輝(阪市大) ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 エレソ技報アーカイブへのリンク: ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 |
抄録 |
(和) |
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流に対してMQW構造がどのように影響しているか、について考察した。これまでに我々は短絡電流の井戸数依存性は光誘起キャリアが再結合するまでに移動できる距離(“特性長”)により特徴づけられるキャリア輸送特性を仮定することで説明できることを見出した。今回、さらにいくつかのMQW構造について特性長を調べ、そのバリア層厚および井戸層厚に対する依存性を求めた結果、特性長のMQW構造依存性はバリア層厚よりも井戸層厚に対してより強く依存性を示すことが明らかになった。また、MQW構造が特性長に与える影響を考察し、MQW構造の吸収過程を考慮することで、短絡電流を最大とする最適なMQW構造を決定しうることを見出した。 |
(英) |
We have investigated InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) solar cells in terms of the relationship between the short-circuit current and the MQW structure. We previously reported that the short-circuit current dependence on the number of well can be well explained by the hypothesis that the transport characteristics of photoinduced carriers are characterized by the “specific length” within which carriers photoinduced in the InGaN well layer can move before recombination. In this report, we estimated the specific length of several MQW structures and the specific length depends on the thickness of well layer more strongly than on that of barrier layer. We also investigate the relationship between the specific length and the MQW structure. The optimum MQW structure for yielding higher short-circuit current can be determined using the specific length and the absorption process in the MQW structure. |
キーワード |
(和) |
太陽電池 / InGaN/GaN MQW / 短絡電流 / キャリア輸送過程 / / / / |
(英) |
solar cell / InGaN/GaN MQW / short-circuit current / carrier transport / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 336, ED2014-94, pp. 103-106, 2014年11月. |
資料番号 |
ED2014-94 |
発行日 |
2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 エレソ技報アーカイブへのリンク: ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 |