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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-12-12 17:00 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成 ○梅原智明・堀田昌宏・吉嗣晃治・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）  EID2014-36 SDM2014-131 |
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| 抄録 | （和） | 窒化ガリウムパワーデバイス応用を目的として, Al2O3絶縁膜を原子層堆積法(ALD)により堆積した. 堆積サイクルの酸化プロセスにおいて, 水蒸気を原料として発生させた高周波プラズマを用いたAl2O3膜の形成を提案した. MIMキャパシタを用いた絶縁破壊試験を行った結果, 従来の熱ALDによるAl2O3膜と比べ, リーク電流の低減および絶縁破壊電界の向上が確認できた. またプラズマ印加時間を適切に選択することでプラズマの発光分光計測において, 水蒸気を原料とするプラズマ活性種の存在が確認され, このプラズマ種が反応に寄与する可能性が示唆された. |
| （英） | In this paper, we reported Al2O3 insulation film deposited by atomic layer deposition(ALD) for application of GaN power devices. In the ALD for Al2O3 film deposition, we sugested to deposit Al2O3 film using plasma originated from water vapor for the oxidation process. We confirmed that the water vapor plasma assisted ALD leads to an increase in breakdown field and a decrease in gate leak current compared with the conventional thermal-ALD Al2O3 film. Optical emission spectrometry reveals that active species originated form water vapor were generated, which may contributes to the reaction. | |
| キーワード | （和） | プラズマ誘起原子層堆積法 / Al2O3 / 水蒸気プラズマ / / / / / |
| （英） | Plasma assisted-atomic layer deposition / Al2O3 / water vapor plasma / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-131, pp. 119-123, 2014年12月. | |
| 資料番号 | SDM2014-131 | |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-36 SDM2014-131 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2014-12-12 - 2014-12-12 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomic Layer Deposition of Al2O3 Film Utilizing Water Vapor Plasma Oxidation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ誘起原子層堆積法 / Plasma assisted-atomic layer deposition |
| キーワード(2)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(3)（和/英） | 水蒸気プラズマ / water vapor plasma |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅原 智明 / Tomoaki Umehara / ウメハラ トモアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀田 昌宏 / Masahiro Horita / ホリタ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉嗣 晃治 / Koji Yoshitsugu / ヨシツグ コウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-12 17:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2014-36, SDM2014-131 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.359(EID), no.360(SDM) |
| ページ範囲 | pp.119-123 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) |
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