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| 講演名 | 2014-12-12 14:15 レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成 ○高尾 透・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）  EID2014-26 SDM2014-121 |
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| 抄録 | （和） | フレキシブル・システムオンパネルディスプレイ実現の上で単結晶Geを200℃未満の低温プロセスで非晶質基板上へ作製する技術が求められている。本研究ではストライプ形状に加工したGe薄膜をSiO2上に形成し、Si種結晶と接触させたものについてレーザーアニールによる結晶化を行った。電子線後方散乱回折(EBSD)マッピング測定結果より、レーザーの中心フルエンスが675 mJ/cm2、スキャン速度150 µm/sのとき、ストライプ形状Ge薄膜において(111)面に配向した結晶化が確認された。また、Geストライプの結晶性に対するレーザーフルエンス、Geストライプ幅の依存性について検討した結果、ストライプ幅を小さくすることによって低フルエンスで(111)面配向結晶化が実現できることがわかった。 |
| （英） | Single-grain Germanium (Ge) on amorphous substrate is required to realize the flexible system on panel display. Stripe-patterned Ge films were fabricated on SiO2 with Si seed and crystallized by green laser annealing. Ge films were evaluated by electron backscatter diffraction (EBSD). The results indicated that Ge films were crystallized with (111) orientation when the fluence was 675 mJ/cm2 and the scan speed was 150 µm/s. In addition, crystallinity dependence on laser fluence and width of Ge stripes was examined. The results indicated that crystallization with (111) orientation can be realized at a low fluence when the width of stripes is reduced. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / レーザーアニール / / / / / / |
| （英） | Germanium / Laser annealing / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-121, pp. 67-71, 2014年12月. | |
| 資料番号 | SDM2014-121 | |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-26 SDM2014-121 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2014-12-12 - 2014-12-12 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystallization of Germanium Film with (111) Orientation on Amorphous Substrate by Laser Annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | レーザーアニール / Laser annealing |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高尾 透 / Toru Takao / タカオ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀田 昌宏 / Masahiro Horita / ホリタ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-12 14:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2014-26, SDM2014-121 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.359(EID), no.360(SDM) |
| ページ範囲 | pp.67-71 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) |
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