講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-12-12 17:15
二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討 ○小石遼介・森山拓洋・木村康平・河野公紀・宮下英俊・李 相錫・岸田 悟・木下健太郎(鳥取大) EID2014-37 SDM2014-132 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2014-37 SDM2014-132 |
抄録 |
(和) |
抵抗変化型メモリ (ReRAM)の抵抗スイッチング現象は酸素欠損(Vo)で構成される導電性フィラメントの生成/断裂によって生じると考えられている. しかし, フィラメントのVoを移動させるドライビングフォースは未だ明らかにされていない. 本研究では低抵抗状態のReRAMに対して様々な波形の電圧パルスを入射し, 種々の温度分布を実現することで濃度勾配によるVoの拡散(濃度拡散)と温度勾配によるVoの拡散(熱拡散)の分離を試みた. その結果, 濃度拡散と熱拡散は常に競合しており, 高抵抗化と低抵抗化は濃度拡散と熱拡散の大小関係によって決まることが示唆された. |
(英) |
It is widely received that resistive switching of resistive random access memory (ReRAM) is caused by formation and rupture of conductive filament consisting of oxygen vacancies, Vos. However, driving forces that migrate oxygen vacancies have been not elucidated yet. In this study, we tried to separate driving forces that cause Vo diffusion, concentration gradient (concentration diffusion) and temperature gradient (thermodiffusion), by generating various temperature distribution around the filament by injecting voltage pulses with various wave forms. As a result, it was shown that concentration diffusion and thermodiffusion are always competing each other in ReRAM, and magnitude relation of concentration diffusion and thermodiffusion decides which reset occurs or set occurs is decided by the magnitude relation of concentration diffusion and thermodiffusion. |
キーワード |
(和) |
抵抗変化型メモリ / ReRAM / 濃度拡散 / 熱拡散 / / / / |
(英) |
Resistive random access memory / ReRAM / concentration diffusion / thermodiffusion / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-132, pp. 125-128, 2014年12月. |
資料番号 |
SDM2014-132 |
発行日 |
2014-12-05 (EID, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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