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講演抄録/キーワード
講演名 2014-12-12 17:15
二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討
小石遼介森山拓洋木村康平河野公紀宮下英俊李 相錫岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2014-37 SDM2014-132 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2014-37 SDM2014-132
抄録 (和) 抵抗変化型メモリ (ReRAM)の抵抗スイッチング現象は酸素欠損(Vo)で構成される導電性フィラメントの生成/断裂によって生じると考えられている. しかし, フィラメントのVoを移動させるドライビングフォースは未だ明らかにされていない. 本研究では低抵抗状態のReRAMに対して様々な波形の電圧パルスを入射し, 種々の温度分布を実現することで濃度勾配によるVoの拡散(濃度拡散)と温度勾配によるVoの拡散(熱拡散)の分離を試みた. その結果, 濃度拡散と熱拡散は常に競合しており, 高抵抗化と低抵抗化は濃度拡散と熱拡散の大小関係によって決まることが示唆された. 
(英) It is widely received that resistive switching of resistive random access memory (ReRAM) is caused by formation and rupture of conductive filament consisting of oxygen vacancies, Vos. However, driving forces that migrate oxygen vacancies have been not elucidated yet. In this study, we tried to separate driving forces that cause Vo diffusion, concentration gradient (concentration diffusion) and temperature gradient (thermodiffusion), by generating various temperature distribution around the filament by injecting voltage pulses with various wave forms. As a result, it was shown that concentration diffusion and thermodiffusion are always competing each other in ReRAM, and magnitude relation of concentration diffusion and thermodiffusion decides which reset occurs or set occurs is decided by the magnitude relation of concentration diffusion and thermodiffusion.
キーワード (和) 抵抗変化型メモリ / ReRAM / 濃度拡散 / 熱拡散 / / / /  
(英) Resistive random access memory / ReRAM / concentration diffusion / thermodiffusion / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-132, pp. 125-128, 2014年12月.
資料番号 SDM2014-132 
発行日 2014-12-05 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EID2014-37 SDM2014-132 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2014-37 SDM2014-132

研究会情報
研究会 SDM EID  
開催期間 2014-12-12 - 2014-12-12 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 
テーマ(英) Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-12-SDM-EID 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study of driving forces that cause resistive switching of binary transition metal oxide memory 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 抵抗変化型メモリ / Resistive random access memory  
キーワード(2)(和/英) ReRAM / ReRAM  
キーワード(3)(和/英) 濃度拡散 / concentration diffusion  
キーワード(4)(和/英) 熱拡散 / thermodiffusion  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小石 遼介 / Ryosuke Koishi / コイシ リョウスケ
第1著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 森山 拓洋 / Takumi Moriyama / モリヤマ タクミ
第2著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 康平 / Kouhei Kimura / キムラ コウヘイ
第3著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 河野 公紀 / Kouki Kawano / カワノ コウキ
第4著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮下 英俊 / Hidetoshi Miyashita / ミヤシタ ヒデトシ
第5著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 相錫 / Sang-Seon Lee / リ サンソク
第6著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸田 悟 / Satoru Kishida / キシダ サトル
第7著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ
第8著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-12-12 17:15:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 EID2014-37, SDM2014-132 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.359(EID), no.360(SDM) 
ページ範囲 pp.125-128 
ページ数
発行日 2014-12-05 (EID, SDM) 


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